新闻

客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。

宜普电源转换公司全力支持工程师参加谷歌与美国电气电子工程师学会(IEEE) 联合举办的「Little Box Challenge」挑战赛以创建更小体积的功率逆变器

宜普电源转换公司可帮助参赛者于谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛通过采用氮化镓(eGaNeGaN®)功率晶体管设计出超小型功率逆变器以胜出该挑战赛。 宜普电源转换公司宣布全力支持参加谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛的工程师创建更小体积的功率逆变器并赢取100万美元奖金。由于氮化镓场效应晶体管 (eGaN®FET)具有可处理高功率功能、超快开关速度及小尺寸等优势,因此它是功率逆变器的理想晶体管。 「Little Box Challenge」挑战赛的主旨是什么? 「Little Box Challenge」挑战赛旨在鼓励工程师给太阳能功率系统开发出更细小及更廉价的功率逆变器。 逆变器是该系统的一部分,可从太阳能电池把直流电转换成可与目前电力网基础设施兼容的交流电。减低逆变器的成本对太阳能系统的总成本的影响很大。 为何使用氮化镓(eGaN)功率晶体管? 高效率/低损耗 与使用MOSFET器件的解决方案相比, 氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的开关性能可实现更高开关频率,从而可缩小储存能量元件的体积,这些元件的体积支配逆变器的尺寸。 超快开关速度 ... 阅读全文
分类: 新闻稿

Development Boards Make Evaluating eGaN FETs Simple

Long talked about, wide bandgap gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) transistors are now commercially available. They are being touted for replacing silicon-based MOSFETs, which are turning out to be inefficient for many high-performance power supply designs. Recently, several suppliers of GaN-on-Si-based HEMTs and FETs have emerged in the marketplace, among them Efficient Power Conversion (EPC). To expedite the evaluation of eGAN FETs for power supply designs transitioning from silicon MOSFETs to eGaN FETs, EPC has released several development boards in the last few years. By Ashok ... 阅读全文
分类: 技术文章

宜普电源转换公司推出符合A4WP规格并可传送35 W功率及工作在6.78 MHz频率的高效无线电源传送演示套件

由于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)具备卓越性能例如具低输出电容、低输入电容、低寄生电感及小尺寸,它是高度谐振并符合Rezence 无线充电联盟(A4WP)规格的无线电源传送系统的理想器件,可提高系统的效率。 宜普电源转换公司宣布推出无线电源转换演示套件。该套件备有40 V(EPC9111)及100 V(EPC9112)器件并包含以下三个组件: 发射板(或放大器) 符合A4WP等级3规格的发射线圈 符合A4WP类别3规格、包含线圈的接收板 该系统可传送达35 W功率至一个直流负载并工作在6.78 MHz频率(最低ISM频带)。这个套件旨在于高效无线电源传送应用简化对氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)进行评估的过程。 EPC9111 及EPC9112 套件采用具备高频开关性能的宜普氮化镓场效应晶体管使得无线功率系统可以实现超过75% ... 阅读全文
分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)的高性能氮化镓功率晶体管 进一步抛离日益陈旧的功率MOSFET并已有现货供应

氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能,因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。 宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能,例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广阔应用。 全新氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及相关开发板 宜普产品型号 电压 最高导通电阻RDS(on) (mΩ) (VGS = 5 V) 最小脉冲电流峰值Peak PulsedID (A) (25°C, Tpulse = 300 µs) TJ (°C) 半桥开发板           标准 低占空比 EPC2023 30 1.3 590 150 EPC9031 ... 阅读全文
分类: 新闻稿
RSS

新闻存档