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宜普电源转换公司宣布推出全新开发板,专为使用增强型氮化镓(eGaN®)FET的系统而设

EPC9005开发板可帮助设计工程师快速开发基于40V EPC2014的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普40V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。 EPC9005开发板是一种40V最大输入电压、7A最大输出电流并带板载栅极驱动器的半桥电路设计及采用EPC2014 40V eGaN FET。推出这种开发板的目的是简化评估EPC2014 eGaN FET的过程,因为EPC9005是块单板,上面集成了所有关键元器件,可以方便地连接任何现有转换器。 EPC9005开发板尺寸为2英寸x1.5英寸,不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2014 eGaN FET,而且包含有板载栅极驱动电源和旁路电容。EPC9005开发板集成了所有关键元器件及布局,以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。 随EPC9005开发板一起提供的还有一份供用户参考和方便使用的快速入门指南 ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围

2011年8月23日星期二 宜普电源转换公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围 EPC2014采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装,以增强其高频开关性能。 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2014。EPC2014具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例要求。 EPC2014 FET是一款面积为1.87平方毫米的40VDS及10V器件,当栅极电压为5V 时,RDS(ON)最大值是16mΩ。与前代EPC1014器件相比,新一代EPC2014器件具有明显更高的性能优势,其最大结温额定值提高至150℃,其性能在更低栅极电压时也得到全面增强。 与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2014体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)推出第二代200V及100mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列领域

EPC2012采用符合RoHS(有害物质限制)条例的无铅封装,以增强其高频开关性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。

EPC2012 FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件,RDS(ON)最大值是100mΩ,栅极电压为5V。这种eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明显更高的性能优势。EPC2012的脉冲额定电流提高至15A(而EPC1012只有12A),因此在较低栅极电压时,其性能得以全面增强,而且由于提高了QGD/QGS比率,EPC2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。

与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2012体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司宣布推出全新开发板,帮助使用增强型氮化镓(eGaN®)FET 用户快速开发电源转换电路和系统

EPC9004开发板可帮助设计工程师快速开发基于200V EPC2012的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品,其应用范围广泛,如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电(PoE)系统和同步整流器。 EPC9004开发板是一种200V最大输入电压、2A最大输出电流并带板载栅极驱动器的半桥电路设计及采用EPC2012 200V eGaN FET。推出这种开发板的目的是简化评估EPC2012 eGaN FET的过程,因为EPC9004是块单板,上面集成了所有关键元器件,可以方便地连接任何现有转换器。 EPC9004开发板尺寸为2英寸x1.5英寸,不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2012 eGaN FET,而且包含有板载栅极驱动电源和旁路电容。电路板上还设计有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。随EPC9004开发板一起提供的还有一份供用户参考和方便使用的快速入门指南 ... 阅读全文
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