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Efficient Power Conversion (EPC) to Present Gallium Nitride (GaN) Technology and Applications at the 2013 Darnell’s Energy Summit

EPC CEO and applications experts will conduct a half-day seminar and technical presentations including an invited plenary session presentation on GaN FET technology and applications. EL SEGUNDO, Calif. — August, 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs will be presenting an educational seminar and several application-focused technical presentations at Darnell’s Energy Summit 2013. The conference will be held in Dallas, Texas from September 9th through the 12th. This ... 阅读全文
分类: 新闻稿

如何使用氮化镓器件: 驱动氮化镓场效应晶体管及版图方面的考虑

本专栏已经讨论了氮化镓场效应晶体管的优势及与硅MOSFET器件相比, 它们具备可以实现更高效率及开关速度的潜力。 本章将讨论使用氮化镓场效应晶体管时,在驱动器及版图方面的考虑,以提高性能。

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八月份: 驱动氮化镓场效应晶体管及版图方面的考虑

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分类: 技术文章
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