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IEEE Power Electronics Society (PELS) Webinar, “Using Gallium Nitride (GaN) FETs for Envelope Tracking Buck Converters”

On September 3rd IEEE PELS will offer a webinar by Dr. Johan Strydom discussing the contribution of gallium nitride power transistors to meet the demanding system bandwidth requirements of envelope tracking applications. EL SEGUNDO, Calif.— August 2014 — An Efficient Power Conversion Corporation (EPC) expert on the application of gallium nitride transistors in envelope tracking power circuit design will conduct a one-hour webinar sponsored by the IEEE Power Electronics Society (PELS) on September 3rd from 11:00 AM to 12:00 AM (EDT). Discrete GaN power devices offer ... 阅读全文
分类: 新闻稿

WiGaN: 利用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)支持在高频工作的硬开关转换器应用

本章展示在10 MHz频率开关、采用氮化镓场效应晶体管的硬开关降压转换器的结果及提供转换器功耗的细数。此外,我们将展示采用氮化镓场效应晶体管的转换器目前所取得无可匹敌的高频性能及如果要推动器件工作在更高频率时所面对的限制。

EEWeb
作者:Alex Lidow
2014年8月

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司(EPC)的专家将于功率研讨会展示为业界设定性能基准的新一代氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)

宜普电源转换公司将于中国大陆两个业界研讨会讨论关于最新一代氮化镓(eGaN)技术,分别为第三届世界无线供电行业峰会及第十九届IIC China功率管理及功率半导体研讨会。 硅基增强型功率氮化镓((eGaN®)场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于两个业界研讨会以应用为主题发表演讲。 于中国上海举行的第三届世界无线供电行业峰会 宜普公司的专家将展示由于氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)具备优越特性如具有低输出电容、低输入电容、低寄生电感及小尺寸,因此作为高度谐振并符合Rezence(A4WP)标准的无线电源传送系统的理想器件,它可以提高该应用的效率。我们对采用MOSFET及氮化镓场效应晶体管的转换器在峰值功率、负载变化及负载调制性能等各方面进行比较。 基于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)并采用全新零电压开关D类放大器拓扑的无线电源传送应用 讲者: 宜普电源转换公司应用工程副总裁Johan Strydom博士 日期/时间: 2014年8月26日星期二下午4时30分至5时10分   于中国深圳举行的第十九届IIC China功率管理及功率半导体研讨会 ... 阅读全文
分类: 新闻稿
标签: 研讨会
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