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Gallium nitride based devices set to bring substantial boost to power efficiency

Gallium nitride has long been known to have useful properties when it comes to electronic components. Even so, its application has largely been confined to more exotic areas of the industry, particularly rf transistors. But GaN is beginning to find application in what could be considered the mainstream, with some of its proponents suggesting its arrival could mark the beginning of the end for the traditional power mosfet. By: Graham Pitcher New Electronics December 13, 2011 Read the article 阅读全文

EPC2010获得第七届电子设计技术杂志颁发“中国创新大奖 - 优秀产品奖

宜普电源转换公司(www.epc-co.com) 宣布EPC2010获得中国电子设计技术杂志(EDN China)颁发2011年度中国创新大奖-优秀产品奖(功率类)。颁奖典礼在2011年12月1日于上海举行。“中国电子设计技术杂志-中国创新奖”在2005年创办,是一项备受业内电子设计工程师和经理推崇和关注的年度活动。 EPC2010为第二代200VeGaN场效应晶体管,具更快开关速度及更卓越性能,不仅环保、不含铅,并且用符合RoHS(有害物质限制)指令的封装。 EPC2010 FET是一款200VDS器件,最大RDS(ON)值为25mΩ,栅极施加电压是5V。EPC2010提高脉冲电流额定值至60A(而EPC1010是40A),并且改进了很低栅极电压时的RDS(ON)值,电容值也更低。 与具有相同导通电阻值的先进硅功率MOSFET相比,EPC2010体积更小,开关性能更高出许多倍。受益于更高性能eGaN FET的应用很多,其中包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬件开关和高频电路 EPC2010的应用笔记及数据表可以分别点击这里: ... 阅读全文
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宜普电源转换公司推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的降压电源转换演示板

EPC9101演示板使用具高频开关优势的eGaN功率晶体管,可减小降压电源转换器尺寸和提高效率 EPC9101是一款全功能的降压电源转换器演示电路,实现8V-19V输入、1.2V电压、18A最大电流输出及1MHz降压转换器,使用的器件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET,并配合德州仪器公司最近推出的国半100V半桥栅极驱动器(LM5113)。LM5113是业界首款专为增强型氮化镓场效应晶体管而设计的驱动器。EPC9101演示高开关频率eGaN FET与这个匹配的驱动器,可减小降压电源转换器尺寸和提高性能。 EPC9101的电源电路所占尺寸仅为8mm x 16mm(约0.2平方英寸),如果双面元件也计算在内,它的高度也仅约8mm。电路板的尺寸虽小,它的峰值效率可达88%,当输出电压为1.2V时可以输出18A的电流。 为了有助设计工程师的工作,EPC9101易于使用以评估EPC2014和EPC2015 eGaN FET,以及LM5113栅极驱动器的性能。这块电路板旨在低环境温度和对流冷却条件下进行基准性能评估。如果想评估其超出演示电路之额定电流能力,客户可以额外采用散热器和强制空气冷却措施。 德州仪器公司也提供类似全功能的降压电源转换演示板,型号为LM5113LLPEVB。这个电路板使用的是LM5113驱动器和100V EPC2001 ... 阅读全文
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宜普电源转换公司的质量管理系统成功取得ISO9001:2008认证

宜普公司获得ISO认证其设计、开发、营销和销售氮化镓功率晶体管及功率管理器件 宜普电源转换公司(www.epc-co.com) 是基于节能增强型氮化镓晶体管的功率转换应用的领先供应商,其质量管理系统已经通过国际标准化组织的ISO9001:2008认证。 ISO标准由国际标准化组织发布,可以从国家标准化机构获得。为了取得认证,宜普公司通过了Det Norske Veritas 审计公司开展的评估,该公司具有ANSI-ASQ国家官方认可局(ANAB)的认可审计资格。 宜普公司首席执行官Alex Lidow 在取得ISO认证后说 “取得ISO 9001:2008认证意味着宜普质量有了一个新的起点。我们专注于持续改进宜普质量管理系统、控制制程及完善处理其归档。我们每次的改进都经过深思熟虑、有系统地及听取客户意见而改进。” 宜普公司简介 宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管。宜普的目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、手机、基站、微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站 www.epc-co.com 。 客户在Twitter的网址 ... 阅读全文
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宜普电源转换公司宣布推出全新开发板,专为使用增强型氮化镓(eGaN®)FET的系统而设

EPC9006开发板可帮助设计工程师快速开发基于100V EPC2007的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9006开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普100V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。 EPC9006开发板是一种100V最大输入电压、5A最大输出电流并带板载栅极驱动器的半桥电路设计及采用EPC2007eGaN FET。推出这种开发板的目的是简化评估EPC2007 eGaN FET的过程,因为EPC9006是块单板,上面集成了所有关键元器件,可以方便地连接任何现有转换器。 EPC9006开发板尺寸为2英寸x1.5英寸,不仅包含了带栅极驱动器及采用半桥配置的两个EPC2007eGaN FET,而且包含有板载栅极驱动电源和旁路电容。EPC9006开发板集成了所有关键元器件及布局,以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。 随EPC9006开发板一起提供的还有一份供用户参考和方便使用的快速入门指南 ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)推出第二代100V及30mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围

EPC2007采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装,以增强其高频开关性能。 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2007。EPC2007具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例要求。 EPC2007 FET是一款面积为1.87平方毫米的100VDS及6V器件,当栅极电压为6V 时,RDS(ON)最大值是30mΩ。与前代EPC1007器件相比,新一代EPC2007器件具有明显更高的性能优势 – 其性能在更低栅极电压时得到全面增强,并且具有更好的抗快速开关瞬变性能。 与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2007体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括硬开关和高频电路,例如隔离DC/DC电源、负载点转换器及D类音频放大器。 “我们最新推出的EPC2007产品进一步扩大业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围。与硅基MOSFET相比,电源设计工程师可利用EPC2007提高电源转换系统效率及缩小系统尺寸。” 共同创始人兼首席执行官Alex ... 阅读全文
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宜普电源转换公司宣布推出全新开发板,专为使用增强型氮化镓(eGaN®)FET的系统而设

EPC9005开发板可帮助设计工程师快速开发基于40V EPC2014的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普40V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。 EPC9005开发板是一种40V最大输入电压、7A最大输出电流并带板载栅极驱动器的半桥电路设计及采用EPC2014 40V eGaN FET。推出这种开发板的目的是简化评估EPC2014 eGaN FET的过程,因为EPC9005是块单板,上面集成了所有关键元器件,可以方便地连接任何现有转换器。 EPC9005开发板尺寸为2英寸x1.5英寸,不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2014 eGaN FET,而且包含有板载栅极驱动电源和旁路电容。EPC9005开发板集成了所有关键元器件及布局,以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。 随EPC9005开发板一起提供的还有一份供用户参考和方便使用的快速入门指南 ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围

2011年8月23日星期二 宜普电源转换公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围 EPC2014采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装,以增强其高频开关性能。 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2014。EPC2014具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例要求。 EPC2014 FET是一款面积为1.87平方毫米的40VDS及10V器件,当栅极电压为5V 时,RDS(ON)最大值是16mΩ。与前代EPC1014器件相比,新一代EPC2014器件具有明显更高的性能优势,其最大结温额定值提高至150℃,其性能在更低栅极电压时也得到全面增强。 与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2014体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)推出第二代200V及100mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列领域

EPC2012采用符合RoHS(有害物质限制)条例的无铅封装,以增强其高频开关性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。

EPC2012 FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件,RDS(ON)最大值是100mΩ,栅极电压为5V。这种eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明显更高的性能优势。EPC2012的脉冲额定电流提高至15A(而EPC1012只有12A),因此在较低栅极电压时,其性能得以全面增强,而且由于提高了QGD/QGS比率,EPC2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。

与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2012体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

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宜普电源转换公司宣布推出全新开发板,帮助使用增强型氮化镓(eGaN®)FET 用户快速开发电源转换电路和系统

EPC9004开发板可帮助设计工程师快速开发基于200V EPC2012的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品,其应用范围广泛,如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电(PoE)系统和同步整流器。 EPC9004开发板是一种200V最大输入电压、2A最大输出电流并带板载栅极驱动器的半桥电路设计及采用EPC2012 200V eGaN FET。推出这种开发板的目的是简化评估EPC2012 eGaN FET的过程,因为EPC9004是块单板,上面集成了所有关键元器件,可以方便地连接任何现有转换器。 EPC9004开发板尺寸为2英寸x1.5英寸,不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2012 eGaN FET,而且包含有板载栅极驱动电源和旁路电容。电路板上还设计有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。随EPC9004开发板一起提供的还有一份供用户参考和方便使用的快速入门指南 ... 阅读全文
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专用驱动器可发挥出增强型GaN FET的最佳性能 2011年6月28日13:38 发布

众所周知,宜普电源转换公司(EPC)推出商用化增强型硅基氮化镓场效应晶体管(宜普称之为eGaN FET)产品已经超过一年多时间了。目前宜普公司正在与合作伙伴一起实现eGaN FET的专用驱动器,使其可以工作在更高电压、更低栅极电荷条件下,仍具更低的RDS(ON),以及没有反向恢复损耗(QRR)——所有这些特性都在比硅产品更小的裸片面积上实现。相比硅MOSFET,eGaN FET实际上可以显著提升品质因数(FOM)。

By Ashok Bindra
How2Power
June, 2011

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National Semiconductor Introduces Industry’s First 100V Half-bridge Gate Driver for Enhancement-mode Gallium-Nitride Power FETs

National Semiconductor Corp. (NYSE:NSM) today introduced the industry’s first 100V half-bridge gate driver optimized for use with enhancement-mode Gallium-Nitride (GaN) power field-effect transistors (FETs) in high-voltage power converters. Enhancement-mode GaN FETs enable new levels of efficiency and power density compared to standard metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) due to their low on-resistance (Rdson) and gate charge (Qg) as well as their ultra-small footprint, but driving them reliably presents significant new challenges. National’s LM5113 ... 阅读全文
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宜普公司推出业界领先的第二代200V增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管

宜普EPC2010采用符合RoHS的无铅封装,提供更卓越高频开关的性能表现 宜普电源转换公司(www.epc-co.com) 宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管(FET)系列产品中的最新成员EPC2010,具更卓越性能,不仅环保、不含铅,而且符合RoHS(有害物质限制)指令。 EPC2010 FET是一款200VDS器件,最大RDS(ON)值为25mΩ,栅极施加电压是5V。这种eGaN FET与第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明显的性能优势。EPC2010将脉冲电流额定值提高到60A(而EPC1010为40A),并且改进了很低栅极电压时的RDS(ON)值,电容值也更低。 与具有相同导通电阻值的先进硅功率MOSFET相比,EPC2010体积更小,开关性能更高出许多倍。受益于更高性能eGaN FET的应用很多,其中包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬件开关和高频电路。 “宜普是第一家实现氮化镓功率场效应晶体管商用化的公司。随着第二代产品的推出,宜普进一步提升了氮化镓场效应晶体管的性能标杆。另外,宜普的新一代eGaN产品也是首个无铅化且符合RoHS的氮化镓场效应晶体管。” 宜普公司合夥创始人及首席执行官Alex ... 阅读全文
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宜普公司开发板帮助客户利用增强型氮化镓晶体管(eGaN® FET)更快开发电源转换电路及系统

EPC9003是一种现成、容易连接开发板及具备详细工程技术资料,便于加快基于200V EPC2010的高频开关电源转换系统设计。 随着宜普EPC9003开发板的推出,用户可以更加容易在许多应用中开始利用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)进行设计,例如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电和同步整流等应用。 EPC9003开发板是一种最大输入电压为200V、最大输出电流为5A、带板载栅极驱动的半桥电路,核心器件是EPC2010 200V eGaN FET。这款开发板在单块板上包含了所有关键元件,非常容易连接任何现有转换器,因此可以简化评估EPC2010 eGaN FET的过程。 EPC9003开发板的尺寸是2” x 1.5”,不仅在带栅极驱动器的半桥结构中包含两个EPC2010 GaN FET,而且还有一个板载栅极驱动电源和旁路电容。另外还提供多个测试点,便于测量简单的波形和计算效率。EPC9003开发板还附有一份快速入门指南( http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9003_qsg.pdf以供用户参考及便于使用。 EPC9003开发板单价为95美元,就像EPC其它产品一样,客户可以透过DigiKey公司于网上购买,网址为 ... 阅读全文
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