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硅基氮化镓场效应晶体管促进全新应用的出现

作者:Ashok Bindra
杂志:How2Power Today (2012年12月刊)

在过去的数年间虽然有很多讨论关于基于氮化镓的功率晶体管可以替代普遍使用的硅MOSFET器件,但硅基氮化镓的功率场效应晶体管可能需要较长的时间才可以在电源转换领域成为主流器件。目前数个全新应用的出现将有望实现氮化镓技术所提供的优势。除了具备商用及高可靠性的条件,氮化镓器件的独有特性正在促进全新应用的出现。

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第一届GaN氮化镓晶体管--高效电源转换设计作品评选大赛

提交报名表格 填写好所有资料后,提交给 网站编辑(联络窗口 Judith Cheng:886-2-2712-6877 ext. 665 ) 报名截止日期 报名表必须在 2013年1月18日23点59分以前提交(以邮件发送时间为准)。截止时间后提交作品将不入围获奖名单。 邮件标题中请注明“GaN氮化镓晶体管–高效电源转换设计作品评选大赛”。 大賽介紹 创新几乎就是工程师的“专利”。为了鼓励优秀的工程师利用领先业界的氮化镓场效应晶体管(Gallium Nitride Field-effect Transistors)创新设计,电子工程专辑特别与宜普电源转换公司发起「第一届GaN氮化镓晶体管 – 高效电源转换设计作品评选大赛」,让工程师在企业家、科研工作者和电子爱好者们的关注下,以书面写作形式(中文或英文)利用任何宜普氮化镓场效晶体管设计出以下作品:(1)直流-直流电源转换器解决方案;或(2)D类/E类音频放大器解决方案。 主办单位所邀请的专家评审将评选出三个最为优秀的设计产品/方案。参赛者可以以个人身份报名,也可以以团队身份报名。 ... 阅读全文
分类: 新闻稿
标签: 设计比赛

宜普电源转换公司出版氮化镓场效应晶体管教科书的中文版

本书由业界专家编写,为工程师提供关于氮化镓晶体管的理论及其应用范围

宜普公司宣布出版了“氮化镓晶体管- 高效电源转换器件”的简中版教科书,旨在为功率系统设计工程师提供氮化镓晶体管的基本技术及相关应用的知识,从而帮助工程师使用氮化镓晶体管设计更高效的电源转换系统。

清华大学李永东教授评论这书时说“本书回顾了电力电子材料与器件的发展历程,并以新型氮化镓材料作为主要研究对象,深入地研究该类功率半导体材料的特点与应用。本书的分析缜密,内容新颖,论述详实,既具有很高的理论水平,又兼顾工程应用实例,具有大量详实的实验数据作为验证理论分析的依据。作为电力电子行业的读者,我觉得这是一本难得的,兼顾理论、实践与可读性的好书”。

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分类: 新闻稿

领先业界的宜普公司氮化镓场效应晶体管获电子设计技术杂志颁发2012年度优秀产品奖

宜普公司(www.epc-co.com) 宣布获得电子设计技术杂志颁发2012年度创新奖(电源器件与模块组别)之优秀产品奖。今年是电子设计技术杂志扎根中国第八个年头,它通过全球电子设计工程师网友及经理的投票与专家选评取得结果,为电子产业内最具影响力和权威的奖项。 宜普公司首席执行官Alex Lidow 说“我们非常荣幸获得电子设计技术杂志颁发奖项,并得到业界工程师的支持,作为在市场的主导产品,EPC2012是我们氮化镓场效应晶体管系列中成员之一,为客户所采用的更高性能并替代硅基MOSFET器件的产品”。 EPC2012器件为第二代200 V、具高频开关及增强性能的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET),并使用无铅以及符合RoHS(有害物质限制)条例的封装。 EPC2012 FET是一款面积为1.7 x 0.9 mm的200 VDS器件,RDS(ON)最大值是100 mΩ,栅极电压为5 V,脉冲额定电流为15 A,因此在较低栅极电压时,其性能得以全面增强。 与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2012体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、无线电源传送、射频包络跟踪、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。 eGaN FET ... 阅读全文
分类: 新闻稿

宜普公司开发板采用德州仪器公司专为驱动增强型氮化镓晶体管而设的栅极驱动器。

EPC9003 and EPC9006开发板可帮助设计工程师快速开发基于氮化镓场效应晶体管的电源转换系统。这是一种已制作好及易于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9003及EPC9006开发板, 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转用氮化镓技术。 EPC9003开发板是一种5 A最大输出电流的半桥电路设计,内含两个EPC2010 (200 V)氮化镓场效应晶体管,并采用德州仪器公司专为氮化镓器件而优化的低侧栅极驱动器(LM5114)。EPC2010专为太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电及同步整流器等应用而设。 此外,宜普公司宣布推出EPC9006 开发板,内含两个5 A最大输出电流、100 V的EPC2007氮化镓场效应晶体管,并使用德州仪器专为驱动氮化镓晶体管的100 ... 阅读全文
分类: 新闻稿

宜普电源转换公司被评选为“电子工程专辑 Silicon 60”高新科技新创企业之一

增强型氮化镓场效应晶体管技术的领先供应商 宜普电源转换公司被评选为“电子工程专辑 Silicon 60”高新科技新创企业之一。这些公司是电子工程专辑的编辑团队根据各公司所发展的技术、目标市场、成熟度、财政状况、投资规模和行政人员的领导才能等多种考量标准而评选出来的。 宜普公司首席执行官Alex Lidow说非常荣幸被评选为最热门的新兴电子公司之一,及感谢电子工程专辑对宜普公司的评价为“一家值得关注的新兴企业”。 与先进的 硅功率MOSFET相比,宜普氮化镓场效应晶体管的尺寸更小及器件的开关性能高出很多倍。受惠于氮化镓场效应晶体管的增强性能的應用包括射频包络跟踪、无线电源传送、高效直流-直流电源、负载点转换器及D类音频放大器。宜普也发布了氮化镓技术的成本将低于硅功率MOSFET及可以替代日益受限、价值几十亿美元的功率MOSFET和IGBT市场的进程。 如欲取得宜普公司氮化镓场效应晶体管产品系列的详尽资料,请浏览 ... 阅读全文
分类: 新闻稿
标签: 奖项

氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第十一部分:优化场效应晶体管的导通电阻

作者:宜普公司应用副总裁Johan Strydom博士
杂志:Power Electronics Technology

摘要:
在这一系列的文章中,我们展示了与硅MOSFET相比,氮化镓场效应晶体在硬开关及软开关应用中它在性能方面的改善。我们看到在所讨论的每一个情况下,氮化镓场效应晶体管的性能比MOSFET器件更为优越。第十一部分讨论了晶片尺寸的优化工艺,并使用一个应用范例来展示其结果。

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)荣获今日电子杂志十大电源产品技术突破奖

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布EPC9102荣获今日电子杂志十大电源产品技术突破奖 。

EPC9102 是一个全功能八分之一砖式转换器演示板。这块电路板是一个36 V-60 V 输入、12 V输出、375 KHz相移全桥式(PSFB)八分之一砖式转换器,最大输出电流为17A。EPC9102演示板展示了基于氮化镓场效应晶体管的直流-直流转换器可帮助工程师在业界基准砖式转换器的外形尺寸限制下提高输出功率及功率密度,

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分类: 新闻稿

氮化镓场效应晶体管的安全工作区域

杂志:Bodo's Power Systems
作者:宜普公司产品质量及可靠性总监马艳萍博士

摘要:
本文讨论了相比功率MOSFET器件,氮化镓场效应晶体管具有高电子密度和非常低的温度系数,使它能够在目前的高性能应用中具明显的优势。电子密度产生优异的RDS(ON),而正温度系数防止在芯片内产生发热点,致使氮化镓场效应晶体管可以在安全工作区域工作时具有更卓越的性能而不会发生故障。

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在安全工作区域具备优异性能

氮化镓场效应晶体管具有正温度系数, 因而在安全工作区域的电压及电流等条件的范围下,它具有更卓越的性能而能够解决硅MOSFET器件在性能上的限制。 宜普公司将发布所有氮化镓场效应晶体管在安全工作区域的数据。该器件具有正温度系数, 因而在安全工作区域范围内只有一个小区域受限于器件的平均温度。 安全工作区域的数据可以显示器件在具阻抗的结点的散热能力,其散热能力越高,器件越具更低的热阻,并使器件在安全工作区域的电压及电流等条件的范围下,具有更卓越的性能而不会发生故障。 与功率MOSFET相比,宜普的氮化镓场效应晶体管在目前的高效应用中具有更卓越的优势,它具有优异的RDS(ON)阻抗值及正温度系数,防止在芯片内产生发热点,致使氮化镓场效应晶体管可以在安全工作区域工作时具有更卓越的性能而不会发生故障。 宜普的氮化镓场效应晶体管的安全工作区域的应用手册刊载于: http://epc-co.com/epc/documents/product-training/SafeOperatingArea.pdf 。 此外,宜普公司将更新产品的数据表,包括列明每一个器件在安全工作区域内的性能的曲线图。 请浏览宜普其它产品的应用及设计资讯: 应用方面的支持 ... 阅读全文
分类: 新闻稿

氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第十部分:应用于高频谐振转换器

作者:宜普公司应用总监David Reusch 博士
杂志:Power Electronics Technology

在过去的章节中,我们讨论了氮化镓场效应晶体管于硬开关、隔离及非隔离型转换器应用中所具的优势。 在第九部分,我们将展示氮化镓器件在软开关的应用中,相比目前的功率MOSFET器件,它可以改善效率及输出功率密度。

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司宣布著名无线电源技术公司WiTricity™的展示系统采用高频氮化镓(eGaN®)场效应晶体管

宜普公司的氮化镓场效应晶体管具卓越开关速度,为具非常高的共振频率的无线电源传送提高功率电子的效率 宜普宣布推出一个高效无线电源展示系统,内含具高频开关性能的氮化镓晶体管。使用宜普的氮化镓场效应晶体管是这种系统的一个理想解决方案,因为它所具备的性能可以在高频、高压及高功率情况下有效率地工作。 WiTricity的创始人发明了具非常高的共振频率的无线电源传送。WiTricity通过特许权把这个知识产权给其它公司使用这项全新技术来创建自己的产品。由于这项技术可以远距离传送电源,是以可以推动广阔的应用领域如消费、医疗、工业及汽车等应用。使用非常高的共振频率的无线电源传送可满足业界的严格的监管指引,并对人体及动物皆安全。 在市场上很多无线充电产品是使用传统的磁感线圈,工作频率是100至300KHz,并使用E、F及S类放大器的转换器拓扑。最近业界团体如消费电子协会及无线电源联盟(A4WP)提出无线充电系统需要一个更高的频率标准(6.78 MHz)。在更高的频率下,传统的硅基功率晶体管(MOSFET) ... 阅读全文
分类: 新闻稿

氮化镓晶体管已经准备好在这个黄金时间抢攻市场吗?

作者:宜普公司首席执行官Alex Lidow博士
日期:在2012年7月2日刊载于Power Pulse.Net网站

大约在2005年Eudyna 与Nitronex首次推出耗尽型射频晶体管时,氮化镓晶体管已经出现。之后有很多新的公司加入引进射频晶体管(如RFMD, Triquint, Cree, 飞思卡尔, Integra, HRL, M/A-COM及其它公司),以及在电源转换应用为替代功率MOSFET而设计的晶体管(如Transphorm, 国际整流器公司, GaN Systems, microGaN及宜普电源转换公司)。本论文主要在讨论这个热闹的科研现象是代表氮化镓晶体管已经准备好替代功率MOSFET吗?如果是,原因是什么呢?

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分类: 技术文章

eGaN®FET与硅功率器件比拼第九章:无线电源传送的应用

作者:宜普公司产品应用副总裁Michael de Rooij博士
日期:在2012年6月27日刊载于Power Electronics Technology 杂志

无线电源产品的应用日益普遍,尤其是应用于通用产品如手机充电器。作为MOSFET技术的替代产品,增强型氮化镓晶体管具备更快开关速度的性能,是无线电源应用的理想器件。这篇文章我们主要讨论实验性的评估一个内含氮化镓场效应晶体管在6.78 MHz时工作的无线充电系统的感应线圈,适合用于多个输出功率为5W的U盘充电负载。

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分类: 技术文章

内含高效氮化镓晶体管的八分之一砖式直流-直流转换器

作者:宜普公司产品应用副总裁Johan Strydom博士
日期:在2012年6月1日刊载于Bodo’s Power Systems杂志

本论文主要在讨论氮化镓晶体管如宜普电源转换公司的eGaN® FET可以提高隔离型八分之一砖式直流-直流转换器的效率。这种电源转换器普遍使用于大型计算机的主机、服务器及通信系统,并具备不同的尺寸、输出功率性能、输入及输出电压范围可供设计工程师考虑。它的模块性、功率密度、可靠性及多功能的特性有助隔离型电源产品的设计。

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)的八分之一砖直流-直流电源转换器演示板

EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器的组合所能达到的优异性能。 宜普电源转换公司宣布推出EPC9102演示板,这是一个全功能的八分之一砖转换器演示板。这块电路板就是一个36V-60V输入、12V输出、375kHz相移全桥(PSFB)式八分之一砖转换器,最大输出电流为17A。该演示板内含100V EPC2001 eGaN FET及德州仪器专为驱动eGaN FET而设的半桥栅极驱动器(LM5113)。 LM5113是业界首款能够最佳驱动增强型氮化镓FET、并且能够充分发挥这种FET优势的驱动器。EPC9102演示板展示了当eGaN FET配合德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器,可以实现eGaN FET的高开关频率性能。 这种转换器的结构符合标准八分之一砖的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。尽管这个尺寸比较小,但整个电路板在36V输入电压、10A输出电流条件下,可以达到94.8%的峰值功效。 EPC9102演示电路的设计用于展示使用eGaN ... 阅读全文
分类: 新闻稿

Dr. David Reusch Joins Efficient Power Conversion (EPC) as Director Applications Engineering

Dr. Reusch will be creating benchmark power converter designs and assisting customers in the use of eGaN FETs® for high frequency, high performance power conversion systems EL SEGUNDO, Calif.—May 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Dr. David Reusch has joined the EPC engineering team as Director, Applications Engineering. As a member of the EPC applications team, Dr. Reusch’s focus will be on designing lower loss and higher power density benchmark circuits that demonstrate the benefits of using gallium nitride ... 阅读全文
分类: 新闻稿
标签: David Reusch
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