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宜普电源转换公司(EPC)的元件模型被纳入新版国家仪器公司(NI) Multisim 13.0 SPICE电路模拟及设计软件

宜普电源转换公司的元件模型被纳入国家仪器公司最新推出的Multisim 13.0,已为数千工程師提供一個易於使用的環境,用以模擬採用EPC元件的功率转换系统,从而提高功率系统效率、缩小产品尺寸及降低设计功率转换系统的开发成本。 硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司宣布其增强型功率氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)SPICE模型被收纳入国家仪器(NI)最新推出的 Multisim 电路模拟及设计软件。Multisim提供全方位的電路分析工具,帮助工程师从先进功率转换系统的应用中易于计算、改变及查寻参数。 NI公司产品经理Mahmoud Wahby说“现在几千工程师已使用Multism 13.0 的EPC元件模型来提高功率系统效率、缩小产品尺寸或降低开发成本,或同时实现这三方面的优势。Multisim 也是广为学术界及在功率电子设计中使用尖端元件的商户所采用的领先电路设计工具。我们很荣幸Multisim囊括EPC领先业界的氮化镓晶体管并期望将来最新的eGaN FET产品继续与Multisim合作。” 宜普公司创始人及首席执行官Alex Lidow说“为了使eGaN FET产品易于使用,我们把它们开发为跟硅功率MOSFET器件非常相似的器件之同时具备更高频性能。 ... 阅读全文
分类: 新闻稿

Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Market Leading eGaN® Power Transistors Recognized as EDN Magazine Hot 100 Product for 2013

EPC8000 family of gallium nitride FETs give power systems and RF designers access to high performance GaN power transistors capable of amplification into the low GHz range, enabling innovative designs not achievable with silicon. EL SEGUNDO, Calif. — December 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, (www.epc-co.com) the leader in enhancement mode gallium nitride FET technology, announces today that its EPC8000 family of high frequency eGaN FETs has been recognized with inclusion in the EDN list of 100 Hot Products for 2013. “We are very excited that EDN, an ... 阅读全文
分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)领先业界的基于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)的开发板在中国荣获2013年度奖项

基于40V氮化镓场效应晶体管(EPC2014)的EPC9005开发板旨在帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统 宜普公司宣布EPC9005开发板在中国荣获两个媒体颁发2013年度奖项,分别为今日电子杂志颁发2013年度十大电源产品奖的“优化开发奖”及EDN China杂志颁发2013年度中国创新奖的“优秀产品奖”。 “我们感到非常荣幸我司的产品得到今日电子杂志及EDN China杂志颁发2013年度奖项,表彰我们在技术创新方面所做出的努力。基于40 V氮化镓场效应晶体管(EPC2014)的EPC9005开发板可帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统。EPC9005开发板是一种已制作好及易于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持数据,使工程师可轻松地利用氮化镓场效应晶体管设计产品。在此我们再次感谢媒体朋友及工程师一直以来对我们的支持!”宜普公司首席执行官Alex Lidow说。 EPC9005开发板是块2英寸x1.5英寸单板,内含两个EPC2014(40 V)氮化镓场效应晶体管,并在半桥配置采用德州仪器公司的栅极驱动器(LM5113)、电源及旁路电容。板上集成了所有关键组件及版图,以实现最优开关性能。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。 详情请浏览我们的网站: ... 阅读全文
分类: 新闻稿

专业高音质并可实现96%效率 – 宜普公司推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)演示板,实现具备高质音频性能并可以节省空间的设计

EPC9106 D类音频放大器参考设计使用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管,展示在提升效率、缩小产品尺寸及不需散热器之同时可实现具专业消费类水平的高质音响效果。 宜普电源转换公司推出150 W、8 Ω D类音频放大器的参考设计(EPC9106)。该演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计,配置四个具接地连接的半桥输出级电路,为可升级及可拓展的设计。在这个基于氮化镓场效应晶体管的系统中,我们把所有可影响D类音频系统音质的元素减至最少或完全去除。 EPC9106演示板含EPC2016氮化镓场效应晶体管及德州仪器公司的100 V半桥栅极驱动器(LM5113)。该板展示了使用具备高频开关性能的氮化镓场效应晶体管并配备专有驱动器LM5113,可以实现小尺寸、高音质的理想效果。EPC9106演示板的设计由于高效,因此可以完全不用散热器,因此也可以减低发生EMI/EMC发射的机会。 EPC9106开发板的超小型电源模块(11 mm x 11 mm)包含氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)、驱动器、电感器及输出/输入电容。 尺寸虽小,EPC9106参考设计在150 W、8 Ω可实现96%效率,并在250 W、4 ... 阅读全文
分类: 新闻稿

高频功率转换器件的封装的考虑因素

在开关频率10 MHz或以上,电源转换需要具备高速开关的晶体管并配备在高频工作的封装。相比日渐老龄化的功率MOSFET器件,由于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)提供无可匹敌的器件性能及封装,因此可以在高频时提高电源转换效率。

Bodo’s Power Systems
客席编辑: Alex Lidow
2013年11月

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分类: 技术文章

EPC宜普电源转换公司推出商用高铅含量的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN ® FET)

宜普公司的增强型氮化镓场效应晶体管备受推荐,其商用高铅含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件现在可以在网上购买。 宜普公司(www.epc-co.com.cn)推出带高铅含量焊锡端子的器件,非常适合要求更高焊接温度的应用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中的铅含量为95%,而锡含量为5%。 EPC2801是一种100 VDS器件,在栅极电压为5V时,其RDS(ON)最大值为7mΩ,而EPC2815是一种40 VDS器件,其RDS(ON)最大值为4mΩ。 EPC2818是一种150 VDS器件,其RDS(ON)最大值为25mΩ 表一:器件规格额定值总览 批量为一千片时,EPC2801器件的单价为7.51美元,EPC2815器件的单价为6.35美元,EPC2818器件的单价为16.25美元。 客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为 http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion 关于氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的设计资料及技术支持资料 下载所有宜普公司eGaN器件的数据表: http://epc-co.com/epc/Products/eGaNFETs.aspx ... 阅读全文
分类: 新闻稿

无封装高电子迁移率晶体管可实现高效功率转换

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,并增加阻抗和电感,从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装,使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比,具有相同成本的优势。

杂志:Compound Semiconductor
日期:2013年6月

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分类: 技术文章
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EPC Addresses Global GaN Power Management Product Demand; Leverages Digi-Key for Global Distribution

Global electronic components distributor Digi-Key Corporation, the industry leader in electronic component selection, availability and delivery, today announced new inventory of Gallium Nitride (GaN) power management products, available for immediate shipment as part of an exclusive global distribution agreement with Efficient Power Conversion (EPC) http://www.digikey.com/us/en/press-release/epc-gan-global-distribution-agreement.html

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Efficient Power Conversion (EPC) Introduces Development Board Showcasing 100 V Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN®) FETs in Parallel for High Current Applications

EPC9017 development board features eGaN FETs in parallel operation using optimum layout techniques to increase current capability and efficiency. EL SEGUNDO, Calif.— October, 2013 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces the EPC9017 half bridge development board for high current, high step down voltage, buck Intermediate Bus Converter (IBC) applications using eGaN FETs. In this application two low side (synchronous rectifier) FETs are connected in parallel since they will be conducting for a much longer period compared to the single high side (Control) FET. ... 阅读全文
分类: 新闻稿

无封装高电子迁移率晶体管可实现高效功率转换

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,并增加阻抗和电感,从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装,使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比,具有相同成本的优势。

杂志:Compound Semiconductor
日期:2013年6月

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宜普公司扩大其产品系列,推出全新150 V功率晶体管

EPC2018 氮化镓功率晶体管于直流-直流功率转换及D类音频放大器的应用发挥卓越性能及实现高频开关 宜普电源转换公司2013年9月宣布推出增强型氮化镓功率晶体管系列产品中的最新成员- EPC2018。 EPC2018 晶体管为5.76 mm2、150 VDS、12 A的器件,其最大RDS(on)为25 mΩ,在栅极电压为 5 V。它可以实现更高性能,因为它具备超高开关频率、非常低的RDS(on)、超低QG以及具备超小型封装占板面积。 与先进硅功率MOSFET器件相比,虽然导通电阻相同,EPC2018 器件具备超小型封装占板面积及在开关性能方面比硅功率MOSFET器件高出很多倍。受惠于氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器及许多需要纳秒开关速度的电路等应用。 宜普公司创办人及首席执行官Alex Lidow 称“EPC2018 器件进一步替我们氮化镓场效应晶体管系列产品开拓新天地。在功率转换应用中,它提供低电阻、低输出电容、快速开关及因器件没有反向恢复而可减少开关损耗。在D类音频放大器应用中,它则可以提高效率及改善音质。” IEPC2018器件在一千批量时的单价为6.54美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为 Digi-Key ... 阅读全文
分类: 新闻稿

Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Expands eGaN® FET Family with 100 Volt, 16 milliohm Power Transistor

EPC2016 gallium nitride power transistor delivers high frequency switching for exceptional performance in DC-DC power conversion. EL SEGUNDO, Calif. – September, 2013- Efficient Power Conversion Corporation (www.epc-co.com) introduces the EPC2016 as the newest member of EPC’s family of enhancement mode gallium nitride power transistors. The EPC2016 is a 3.36 mm2, 100 VDS, 11 A device with a maximum RDS(on) of 16 milliohms with 5 V applied to the gate. This GaN power transistor delivers high performance due to its ultra high switching frequency, extremely low RDS(on), ... 阅读全文
分类: 新闻稿

Efficient Power Conversion (EPC) to Present Gallium Nitride (GaN) Technology and Applications at the 2013 Darnell’s Energy Summit

EPC CEO and applications experts will conduct a half-day seminar and technical presentations including an invited plenary session presentation on GaN FET technology and applications. EL SEGUNDO, Calif. — August, 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs will be presenting an educational seminar and several application-focused technical presentations at Darnell’s Energy Summit 2013. The conference will be held in Dallas, Texas from September 9th through the 12th. This ... 阅读全文
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