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宜普电源转换公司(EPC)于CES 2019展览展示 基于GaN技术的家居无线电源系统及针对全自动驾驶汽车的高分辨率激光雷达技术

宜普电源转换公司(EPC)于CES 2019展览展示 基于GaN技术的家居无线电源系统及针对全自动驾驶汽车的高分辨率激光雷达技术

EPC公司将于国际消费电子展CES® 2019 的hospitality suite展示基于氮化镓(GaN)器件的家居无线电源系统及应用于全自动驾驶汽车的、领先业界的激光雷达系统。

EPC公司将于2019年1月8日至11日在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展(CES 2019展示eGaN®技术如何实现两种改变业界游戏规则的消费电子应用 -- 分别是无线电源及应用于全自动驾驶汽车的激光雷达(LiDAR)。

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分类: 新闻稿

The Power and Evolution of GaN, Part 3: How to Build an Ultra-Fast High-Power Laser Driver using eGaN FETs - That Sees Farther, Better, and at a Lower Cost!

The Power and Evolution of GaN, Part 3: How to Build an Ultra-Fast High-Power Laser Driver using eGaN FETs - That Sees Farther, Better, and at a Lower Cost!
In the first article in this series, how gallium nitride (GaN)-on-silicon low voltage power devices have enabled many new applications, such as light detection and ranging (LiDAR), envelope tracking, and wireless power was discussed. In this article, more detail on one of these leading applications, LiDAR, will be explored. How GaN is being used to make LiDAR systems that see farther, with higher resolution, and at lower cost will be shown. Power Systems Design Read article 阅读全文
分类: 技术文章

EPC扩大亚洲团队,针对客户解决方案释放创新力量

EPC扩大亚洲团队,针对客户解决方案释放创新力量

作为为支持DC/DC、激光雷达(LiDAR)、无线电源应用等方面不断扩大的客户群进行扩展的一部分,宜普电源转换公司(EPC)扩大了其在亚洲的团队,增加的新成员将与整个亚太地区21个地区的客户保持密切联系。

2018年11月28日— 为了支持在亚太地区正在加速的销售增长,宜普电源转换公司(EPC)宣布扩大亚太地区的销售和FAE团队,以支持其不断扩大的客户群,积极获取全新的业务发展及抓住全新的市场商机。

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分类: 新闻稿

Building the Smallest and Most Efficient 48 V to 5 - 12 V DC to DC using eGaN FETs and ICs

The Power and Evolution of GaN – Part 2 of 6 part series

Building the Smallest and Most Efficient 48 V to 5 - 12 V DC to DC using eGaN FETs and ICs
With the power architecture transition from a 12 V to a 48 V bus power distribution in modern data centers, there is an increased demand to improve 48 V power conversion efficiency and power density. In this context, DC-DC converters designed using eGaN® FETs and ICs provide a high efficiency and high power density solution. Additionally, with the advent of 48 V power systems in mild-hybrid, hybrid and plug-in hybrid electric vehicles, GaN transistors can provide a reduction in size, weight, and Bill of Materials (BOM) cost. Power Systems Design Read article 阅读全文
分类: 技术文章

面向48 V转到1-2 V/10 A的应用,采用基于氮化镓器件的 VRM混合式转换器可实现 95%效率

面向48 V转到1-2 V/10 A的应用,采用基于氮化镓器件的 VRM混合式转换器可实现 95%效率

在48 V总线架构出现后,我们可采用全新、基于氮化镓(GaN)晶体管的混合式转换器,以实现超过95%峰值效率及225 W/in3 功率密度。对于节能的数据中心来说,轻负载效率非常重要。基于氮化镓晶体管的转换器在转换至20%负载时,可保持高于90%的效率。

PowerPulse
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分类: 技术文章

EPC与无线电能技术创新者携手引领5G及其它新应用的发展

EPC与无线电能技术创新者携手引领5G及其它新应用的发展

工研院举办无线电能传输研讨会,邀请了来自AirFuel 无线充电联盟、宜普电源转换公司(EPC)、jjPLUS和IHS Markit的业界领袖进行专家演讲。

2018年10月30日 - 人们对5G、笔记本电脑、机器人、机械工具和医疗设备等新应用的中高功率无线充电(WPT)需求不断增加,无线电力的下一个杀手级应用将会是什么?

为了解答这个问题并旨在推动基于高效无线充电标准的产业发展,台湾工业技术研究院ITRI的区域与两岸工作小组、AirFuel无线充电联盟、宜普电源转换公司(EPC)和jjPLUS公司携手支持首届“无线电能传输(WPT)结合5G新应用研讨会”。活动于2018年10月30日(星期二)在台北的国立台湾大学博理館演讲厅举行。

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分类: 新闻稿

硅基氮化镓功率器件如何把硅基功率MOSFET逐出?

硅基氮化镓功率器件如何把硅基功率MOSFET逐出?

专为高效电源转换而设的氮化镓功率晶体管已经投产7年多了。全新的市场例如激光雷达、包络跟踪及无线电源,都成为氮化镓的新兴市场,因为氮化镓具备超高速的的开关速度。这些市场使得氮化镓产品得以量产、成本更低及具备优越的可靠性。这些优势为比较保守的设计工程师提供更大的利好条件,因此,DC/DC转换器工程师、AC/DC转换器及车载应用工程师都开始对氮化镓器件进行评估。要把120亿美元的硅基MOSFET市场转为氮化镓市场,还有什么壁垒呢?就是信心的问题。设计工程师、制造工程师、采购经理及管理层都必需对氮化镓技术的优势有足够的信心、相信氮化镓技术可以解决设计师对采用全新技术的风险的疑问。让我们看看3个主要构成风险的因素:供应链、成本及产品的可靠性。

IEEE Spectrum
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氮化镓的雷霆威力及演变

氮化镓的雷霆威力及演变

从2010年开始,自硅基氮化镓(GaN)晶体管商用化后,低压氮化镓晶体管推动了很多全新应用的发展。氮化镓器件具备超快速开关,推动全新市场诸如激光雷达、包络跟踪及无线电源市场的出现。这些全新应用进一步实现更强大的供应链、低制造成本及器件前所未有的高可靠性。这些优势使得比较保守的设计工程师在DC/DC转换器、AC/DC转换器及车载等各种应用开始对氮化镓器件进行评估。在本文章系列,我们将讨论多种发挥氮化镓器件优势的应用,实现最终产品差异化的竞争优势。首先,我们会探讨是什么因素加快了氮化镓器件的普及。

Power Systems Design
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分类: 技术文章

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices Published by The Institution of Engineering and Technology

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices Published by The Institution of Engineering and Technology
Based on the authors' years of extensive experience, this is an authoritative overview of Wide Bandgap (WBG) device characterization. EL SEGUNDO, Calif. – September 2018 – Efficient Power Conversion Corporation (www.epc-co.com) announces the publication by the Institution of Engineering and Technology of Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices co-authored by EPC Senior Applications Engineer, Dr. Edward A. Jones. This textbook provides essential tools to assist researchers, advanced students, and practicing engineers in performing both static and ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》杂志/21IC中国电子网 2018年度“Top10电源产品–技术突破奖”

宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》杂志/21IC中国电子网 2018年度“Top10电源产品–技术突破奖”

宜普电源转换公司(EPC)的两个车规级氮化镓晶体管(EPC2202及EPC2203)成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证,推动一系列面向车用及其它严峻环境的应用的发展。

宜普电源转换公司(EPC)的第一批通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证的氮化镓场效应晶体管(EPC2202EPC2203),荣获《今日电子》杂志与21IC中国电子网颁发2018年度“Top-10电源产品奖—技术突破奖”。该奖项在2018年9月13日于北京举行的21iC电源技术研讨会上颁发。

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宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN)功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN)功率晶体管

专为功率系统设计师而设的EPC2051功率晶体管是一种100 V、25 mΩ并采用超小型芯片级封装的晶体管,可实现37 A脉冲输出电流。EPC2051是多种应用的理想器件,包括48 V功率转换器、激光雷达及LED照明等应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on)))为25 mΩ及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。

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分类: 新闻稿

设计激光雷达应用及进一步应用于全自动电动车方程式E赛车

设计激光雷达应用及进一步应用于全自动电动车方程式E赛车

eGaN FET(及目前的集成电路)之可以应用于全自动车辆的激光雷达系统,以及全自动电动赛车,是因为这些器件可以实现高很多的分辨率(由于具备超短激光脉冲)、更快速的图像速度(由于短激光脉冲),及可以准确地看得更远(由于在超高电流时可以实现快速激光脉冲)。

Planet Analog
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EPC公司于PCIM Asia 2018 与功率设计工程师交流无线电源及激光雷达技术的发展和应用

EPC公司于PCIM Asia 2018 与功率设计工程师交流无线电源及激光雷达技术的发展和应用

硅基增强型氮化镓场效应晶体管及集成电路的领先供应商宜普电源转换公司(EPC)于中国上海与功率管理工程师会面并讨论关于1)针对大于30 W功率高度谐振无线功率接收器、内建同步整流FET的E类整流器; 及2)采用eGaN® FET、120 A、少于10纳秒脉冲及占板面积小于3平方厘米的千瓦级激光驱动器。

我们诚挚邀请工程师莅临中国上海,出席我们于2018年6月26日(星期二)上午10时至10时50分、在1099号国展路上海世博展览馆1层2号展馆内举行的PCIM Asia 2018研讨会(电力转换与智能运动研讨会)的演讲。

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How eGaN FETs power LIDAR

How eGaN FETs power LIDAR

LIDAR is presently a subject of great interest, primarily due to its widespread adoption in autonomous navigation systems for vehicles, robots, drones, and other mobile machines. eGaN devices are one of the main factors in making affordable, high performance LIDAR possible in a small form factor thus further fueling the LIDAR revolution.

EDN
By John Glaser
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分类: 技术文章

The Growing Ecosystem for eGaN FET Power Conversion

The Growing Ecosystem for eGaN FET Power Conversion
In recent years, GaN-based power conversion has increased in popularity due to the inherent benefits of eGaN FETs over conventional Si transistors. Migrating a converter design from Si to GaN offers many system-level improvements, which require consideration of all the components in that system. This trend has subsequently spurred a growth in the ecosystem of power electronics that support GaN-based designs. Power Systems Designs By Edward A. Jones, Michael de Rooij, and David Reusch Read article 阅读全文
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