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GaN Power Modules Deliver Over 1400 W/in3 for 48 V – 12 V DC-DC and Up to 10 MHz for Point-of-Load Power Conversion

GaN Power Modules Deliver Over 1400 W/in3 for 48 V – 12 V DC-DC and Up to 10 MHz for Point-of-Load Power Conversion
Efficient Power Conversion’s EPC9204 and EPC9205 power modules demonstrate the efficiency enhancements and significant size reduction achieved in DC-DC power conversion using high frequency switching eGaN® power transistors and integrated circuits. EL SEGUNDO, Calif.— March 2018 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces two new GaN power modules for DC-DC conversion, increasing efficiency across the 48 V to point-of-load power architecture. The EPC9205 is a high-power density PCB-based power module for 48 V – 12 V conversions while the ... 阅读全文
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基于氮化镓器件的48 V - 12 V非隔离稳压式转换器开发板,其功率密度每立方英寸超过1250W及效率可高于96%

基于氮化镓器件的48 V - 12 V非隔离稳压式转换器开发板,其功率密度每立方英寸超过1250W及效率可高于96%

宜普公司的EPC9130五相开发板展示出采用高频开关eGaN®功率晶体管、极小型化及增强了效率的电源转换方案。

宜普电源转换公司(EPC)的EPC9130 开发板是一款48 V转换至12 V的非隔离稳压式开发板、具用五个相位、每相具12 A、最大输出电流为60安培,开发板的输出功率可以超过700 W。该板具超高功率密度(每立方英寸大于1250 W),其效率高于96%。

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分类: 新闻稿

面向激光雷达应用并采用EPC氮化镓(eGaN)技术的150安培开发板可以驱动5 纳秒脉宽的脉冲电流

面向激光雷达应用并采用EPC氮化镓(eGaN)技术的150安培开发板可以驱动5 纳秒脉宽的脉冲电流

EPC9126HC开发板采用具备超快速功率转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),由于可以驱动高达150 A及可低至5 ns脉宽的脉冲大电流,因此可以提高激光雷达(LiDAR)系统所侦测的资料的质素,包括资料的准确性、精确度及制作速度。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150 A大电流脉冲激光二极管的驱动演示电路板(EPC9126HC)。面向全自动汽车应用的激光雷达系统需要制作三维地图,因此,侦测四周的目标物件的速度及准确性变得非常重要。从EPC9126HC演示电路板可以看到,与等效MOSFET相比,具备快速转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)所提供的脉冲功率可以快十倍的速度驱动激光二极管,从而提升激光雷达系统的整体性能。

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分类: 新闻稿

EPC Announces Development Board Operating Up To 10 MHz for High Efficiency at High Frequency Point-of-Load DC-DC Conversion

EPC Announces Development Board Operating Up To 10 MHz for High Efficiency at High Frequency Point-of-Load DC-DC Conversion
The EPC9086 high efficiency half-bridge development board can operate up to 10 MHz featuring a 30 V EPC2111 eGaN® half bridge in combination with the recently introduced high speed Peregrine Semiconductor PE29102 gate driver. EL SEGUNDO, Calif.—October 2017 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announces the availability of The EPC9086 development board, a high efficiency half-bridge development board that can operate up to 10 MHz.  The EPC9086 board measures 2” x 2” and contains a 30 V, 15 A EPC2111 enhancement-mode gallium nitride half ... 阅读全文
分类: 新闻稿

EPC Announces a Full Range of Wireless Power Demonstration Kits That Can Be Used to Design Systems That Power Anything from Lamps to Laptops

EPC Announces a Full Range of Wireless Power Demonstration Kits That Can Be Used to Design Systems That Power Anything from Lamps to Laptops
Superior characteristics of eGaN® FETs and ICs, such as low output capacitance, low input capacitance, low parasitic inductances, and small size used in these demonstration kits show that GaN FETs and ICs are ideal for increasing efficiency in highly resonant, AirFuel™ Alliance compatible wireless power transfer systems. EL SEGUNDO, Calif.—October 2017 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announces the availability of two new demonstration kits -- the EPC9127, a complete wireless power kit including a 10 W, class 2 amplifier, category 3 receiver ... 阅读全文
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EPC公司推出全新开发板EPC9083 - 面向无线充电及激光雷达应用、采用200 V eGaN FET、60 W E类放大器拓扑,可以在高达15 MHz频率下高效地工作

EPC公司推出全新开发板EPC9083 - 面向无线充电及激光雷达应用、采用200 V eGaN FET、60 W E类放大器拓扑,可以在高达15 MHz频率下高效地工作

宜普电源转换公司(EPC)推出全新的EPC9083开发板,帮助功率系统设计师容易并且快速地对E类放大器内、可在高达15 MHz频率工作的200 V氮化镓晶体管进行评估,其应用领域包括无线充电、激光雷达、电流模式D类放大器及推挽式转换器。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出高效、灵活及采用氮化镓晶体管的差分模式开发板(EPC9083),可以在高达15 MHz频率工作,包括无线充电应用的6.78 MHz频率。 推出开发板的目的是帮助功率系统设计师以简易方法对氮化镓晶体管的性能进行评估,使得他们的产品可以快速量产。

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宜普电源转换公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化镓功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化镓功率晶体管

200 V、25 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可应用于无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向多种应用的EPC2046功率晶体管,包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用、太阳能微型逆变器及具低电感的马达驱动器。EPC2046的额定电压为200 V、最大导通电阻RDS(on)为25 mΩ、脉冲输出电流为55 A。

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基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

EPC公司的全新开发板可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器,展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。

宜普电源转换公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068开发板,可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器。这些开发板专为功率系统设计师而设,对氮化镓晶体管的优越性能进行评估方面提供了简易方法,使得设计师的产品可以快速量产。三块开发板都配备了具有零QRR、同步自举整流器的栅极驱动器,从而在高达15 MHz的高频工作条件下可以提高效率。该些开发板在降压转换器及D类放大器配置的最大输出电流为2.7 A。在整个电流范围都可以降低损耗。

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基于EPC eGaN FET 的100 W并可实现92%效率的开发板与工作频率为6.78 MHz的AirFuel无线充电标准兼容

基于EPC eGaN FET 的100 W并可实现92%效率的开发板与工作频率为6.78 MHz的AirFuel无线充电标准兼容

采用eGaN®FET、工作在6.78 MHz频率并与AirFuel无线电源标准兼容的EPC9065开发板可以实现最高功率及最高效率。

宜普电源转换公司(EPC)推出EPC9065开发板,可作为面向AirFuel联盟的Class 4及Class 5无线电源传送应用的放大器功率级。 该板的配置采用零电压开关(ZVS)差分模式D类放大器拓扑,而且不只限于6.78 MHz工作频率(最低ISM频带)。

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宜普电源转换公司(EPC)推出具有50 A最大输出电流、1 MHz开关频率功能的开发板,专为负载点应用而设以缩小功率转换系统的尺寸

宜普电源转换公司(EPC)推出具有50 A最大输出电流、1 MHz开关频率功能的开发板,专为负载点应用而设以缩小功率转换系统的尺寸

面向大电流、高频的负载点应用的EPC9059开发板内含业界第一种单个半桥式增强型氮化镓(eGaN®)集成电路,可实现更高功率密度。

宜普电源转换公司(EPC)推出半桥式开发板(EPC9059),专为大电流、高频的负载点(POL)应用而设,目的是利用氮化镓集成电路(eGaN IC)的优势,缩小功率转换系统的尺寸。该板具有30 V最高器件电压、50 A 最大输出电流。在这应用中,两个30 V 的eGaN IC(EPC2100)并联工作并配备板载驱动器,从而可以实现更高的输出电流。与硅基MOSFET相比,由于氮化镓器件具有卓越的均流能力,因此更适合并联操作。

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内含宜普电源转换公司(EPC)的200 V氮化镓场效应晶体管的开发板可实现高达30 MHz的效率

内含宜普电源转换公司(EPC)的200 V氮化镓场效应晶体管的开发板可实现高达30 MHz的效率

宜普电源转换公司(EPC)的全新开发板帮助功率系统设计师容易并且快速地 对应用于E类放大器拓扑、电流模式D类放大器拓扑及push-pull 转换器的200 V氮化镓晶体管进行评估,其工作效率可以高达30 MHz。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出高频、基于氮化镓晶体管并采用差分模式的开发板,可以在高达30 MHz下工作。 推出开发板的目的是帮助功率系统设计师利用简易方法对氮化镓晶体管的优越性能进行评估,使得他们的产品可以快速量产。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)扩大面向无线电源充电应用 的超小型及低成本eGaN FET产品系列

宜普电源转换公司(EPC)扩大面向无线电源充电应用 的超小型及低成本eGaN FET产品系列

EPC2037增强型氮化镓功率晶体管(100 V、1 A、550 mΩ)由一个数字驱动器直接驱动,于采用D类及E类放大器拓扑的无线充电应用中可以实现高频开关及特别优越的性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn )推出增强型氮化镓功率晶体管(eGaN® FET)系列的最新成员 -- EPC2037

EPC2037(100 VDS、1 A)非常小型(1.82 mm2)及在栅极上施加5 V电压时的最大导通阻抗为 550 mΩ。 由于它具备超高开关频率、低导通阻抗值、异常低QG值及采用超小型封装,因此它在电源转换系统具备高性能优势。EPC2037由一个数字逻辑集成电路直接驱动,因此不需额外及高成本的驱动器集成电路。

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宜普电源转换公司(EPC)推出面向D类音频放大器的理想器件 -- 小尺寸、具备超快速开关性能并工作在2 MHz以上频率的单片半桥式氮化镓功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)推出面向D类音频放大器的理想器件 -- 小尺寸、具备超快速开关性能并工作在2 MHz以上频率的单片半桥式氮化镓功率晶体管

氮化镓功率晶体管 -- EPC2106为功率系统设计师提供的解决方案可以在2 MHz以上频率开关,从而不会干扰AM频段及降低过滤成本,因此是具备低失真性能的D类音频放大器的理想选择。

宜普电源转换公司宣布推出单片半桥式增强型氮化镓晶体管 --EPC2106。通过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为一个集成电路可以去除互感及PCB板上器件之间所需的间隙空间,从而提高效率(尤其是在更高频时)及提高功率密度而同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。

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分类: 新闻稿

专为符合A4WP Rezence标准的无线电源传送应用而设的EPC eGaN功率集成电路在效率及成本方面树立全新基准

专为符合A4WP Rezence标准的无线电源传送应用而设的EPC eGaN功率集成电路在效率及成本方面树立全新基准

全新EPC2107EPC2108 eGaN®功率集成电路包含单片半桥式器件及集成式自举功能,专为符合无线充电联盟(A4WP)第二及第三级规范的解决方案而设。此外,为了让客户容易对氮化镓元件进行评估,我们也提供开发板及包含发射器及接收器的无线电源传送解决方案。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出内含集成式自举功能的场效应晶体管的eGaN半桥功率集成电路 EPC2107(100 V)及EPC2108(60 V)。该集成电路去除了由栅极驱动器所引致的反向恢复损耗,也不需高侧箝位。这是首次在eGaN功率电路中集成了一个自举场效应晶体管。

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分类: 技术文章

宜普电源转换公司的全新eGaN功率晶体管突破了硅器件之前无可匹敌的成本/速度壁垒

宜普电源转换公司的全新eGaN功率晶体管突破了硅器件之前无可匹敌的成本/速度壁垒

全新eGaN®功率晶体管系列以MOSFET器件的价格实现更优越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2035(60 V)及EPC2036EPC2036 (100 V)eGaN功率晶体管,专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件。 价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓(GaN)晶体管的普及化的最后一个壁垒,而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。

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分类: 新闻稿

实现专业高音质及96%功率效率 – 宜普公司的演示板采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),实现具备卓越音频性能并节省占位空间的设计

实现专业高音质及96%功率效率 – 宜普公司的演示板采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),实现具备卓越音频性能并节省占位空间的设计

采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的EPC9106 D类音频放大器参考设计展示出可以提升效率、缩减尺寸及省去散热器之同时可以实现针对专业级消费者所要求的高音质。

宜普电源转换公司(EPC)推出的150 W、8 Ω D类音频放大器参考设计(EPC9106)采用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计,包含四个接地的半桥输出功率级电路,使得设计可以升级及扩展。

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分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(EPC)推出单片半桥式氮化镓功率晶体管 可推动28V转1 V负载点转换器在14 A输出电流时实现超过87%效率

EPC2101单片半桥式氮化镓功率晶体管为功率系统设计师提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化镓器件可推动28 V转至1 V并在500kHz频率开关的全降压型转换器可以在14 A输出电流时实现接近87%系统效率,以及在30 A输出电流时可以实现超过82%效率。同时,与分立式解决方案相比,晶体管的占板面积减少50%。 宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管(EPC2101)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙,使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101 最理想的应用领域是高频直流-直流转换。 在EPC2101 半桥式元件内,每一个器件的额定电压是60 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是8.4 mΩ,下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是2 mΩ。 高側场效应晶体管的尺寸大约是低側器件的四分之一,使得具有高VIN/VOUT比值的降压转换器可实现最佳直流-直流转换效率。EPC2101使用芯片封装方式以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥器件 可推动48V转12 V转换器系统在20 A输出电流时实现超过97%效率

EPC2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推动48 V转至12 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 A输出电流时实现高达接近98%效率,以及推动48 V转至1 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在14 A输出电流时实现84%效率。 宜普电源转换公司宣布推出80 V增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2105)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及印刷电路板上的空隙、提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2105最理想应用于高频直流-直流转换及推动从48 V直接转至1 V系统负载的高效单级转换的应用。 在EPC2105半桥元件内每一个器件的额定电压是80 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是10 mΩ,下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是2.3 mΩ。 高側场效应晶体管的尺寸大约是低側器件的四分之一,使得器件在具有高VIN/VOUT比的降压转换器中可实现最佳直流-直流转换效率。EPC2105使用晶片尺寸封装以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向高频应用的 300 V氮化镓功率晶体管

宜普公司为功率系统设计师提供一种上升时间为2奈秒(ns)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的300 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2025)。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出300 V功率晶体管(EPC2025),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高效率及更高功率密度。受惠于更高开关速度的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗应用的诊断仪器、功率逆变器及照明应用的发光二极管等。 EPC2025器件具300 V的电压额定值、150 mΩ最高导通电阻值(RDS(on))及4 A输出电流。器件使用含焊条的钝化晶片从而可高效散热及容易组装。器件的尺寸是1.95 mm x 1.95 mm以提高功率密度。 宜普电源转换公司的共同创始人及首席执行官Alex Lidow称「由于终端系统愈来愈需要更小型的直流-直流功率转换器,尤其是用于便携式设备的转换器,因此对具更快开关速度的功率转换器的需求与日俱增。EPC2025晶体管允许功率工程师提高他们的功率转换系统的开关频率,从而实现更高效及更小型的系统。」 开发板 EPC9042开发板具300 V最高电压额定值、采用半桥拓扑及板载驱动器、配合使用EPC2025场效应晶体管、板载栅极驱动器电源及旁路电容。这块2英寸乘1.5 ... 阅读全文
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宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥功率晶体管推动 12 V转至1.2 V负载点转换器系统在25 A输出电流下实现超过90%效率

EPC2100氮化镓功率晶体管为系统设计师提供具更高效率及功率密度的全降压转换器系统在500 kHz、12 V转1.2 V、10 A时实现接近93%峰值效率,以及在25 A时效率可高于90.5%。 宜普电源转换公司宣布推出EPC2100- 第一个可供商用的增强型单片式半桥氮化镓晶体管。透过集成两个eGaN功率场效应晶体管形成单一元件可以去除互连电感及印刷电路板上的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。 在EPC2100半桥元件内每一个器件的额定电压是30 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是6 mΩ,下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是1.5 mΩ。 高側场效应晶体管的尺寸大约是低側器件的四分之一,具高VIN/VOUT比,在降压转换器可取得最优直流-直流转换效率。EPC2100使用晶片尺寸封装以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是6 毫米(mm) x 2.3 毫米,功率密度更高。 宜普电源转换公司创始人兼首席执行官称「现在设计师可利用氮化镓技术所带来的第一个范例 - 单片式eGaN 半桥器件系列,可节省空间、提高效率及降低系统成本。当功率转换系统延伸至数MHz的领域,集成多个分立器件变得更为重要以实现高系统效率及高功率密度。」 开发板 EPC9036开发板 ... 阅读全文
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