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功率转换领域:硅器件已经走到尽头

分类: 技术文章

应用于功率转换领域的硅器件的性能已接近其理论极限。氮化镓(GaN)及碳化硅(SiC)将取代大部分市值120亿美元的硅功率MOSFET市场。目前已经有产品投产,其性能比硅器件的理论性能极限好5至10倍。

杂志:Bodo’s Power Systems
作者:Alex Lidow
2014年5月