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宜普电源转换公司(EPC)的高性能氮化镓功率晶体管 进一步抛离日益陈旧的功率MOSFET并已有现货供应

分类: 新闻稿

氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能,因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。

宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能,例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广阔应用。

全新氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及相关开发板

宜普产品型号 电压 最高导通电阻
RDS(on) (mΩ)
(VGS = 5 V)
最小脉冲电流峰值
Peak PulsedID (A) (25°C,
Tpulse = 300 µs)
TJ (°C) 半桥开发板
          标准 低占空比
EPC2023 30 1.3 590 150 EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 1.5 550 150 EPC9032  

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