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宜普电源转换公司推出具有宽间距的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)以小尺寸具备大电流承载能力

分类: 新闻稿
宜普电源转换公司推出具有宽间距的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)以小尺寸具备大电流承载能力

全新氮化镓(eGaN®)功率晶体管(EPC2029)进一步扩大宜普电源转换公司的功率晶体管系列 – EPC2029 氮化镓晶体管使用高效、具有宽间距的芯片规模封装,可易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出采用更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)-- 80 V、31 A并具有1 mm间距的焊球的EPC2029晶体管是这种全新产品系列的首个晶体管。更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔,使得小尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)的元件可以具备大电流承载能力。

与具有相同的电阻的先进硅功率MOSFET器件相比,EPC2029的尺寸小很多及其开关性能高出很多倍,是高频DC/DC转换器、DC/DC及AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器及D类音频放大器等应用的理想元件。

开发板

为了简化对这个高效的氮化镓场效应晶体管EPC2029进行评估,EPC推出EPC9046开发板,使得工程师可以容易对EPC2029“在电路中”的性能进行评估。

EPC9046开发板采用半桥拓扑,配备板载栅极驱动器及采用EPC2029氮化镓场效应功率晶体管。该板为2英寸乘2 英寸的开发板,使用了两个eGaN FET、德州仪器的LM5113栅极驱动器、电源及旁路电容。该开关板包含了所有重要元件并采用具备最佳开关性能的布局,而且提供额外的电路板面积给工程师添加降压输出滤波器元件。此外,该板备有多个探孔以帮助工程师测量出简单的波形及计算效率。

产品价格及实时供货详情

EPC2029功率晶体管在批量为一千片时的单价为6.03美元,而EPC9046开发板的单价为137.75美元,皆可以立即透过北高智科技公司Digi-Key公司购买。

关于氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的设计信息及技术支持

宜普电源转换公司简介

宜普公司(www.epc-co.com.cn)是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管 直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览 我们的网站www.epc-co.com.cn 。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])