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宜普电源转换公司的全新eGaN功率晶体管突破了硅器件之前无可匹敌的成本/速度壁垒

分类: 新闻稿
宜普电源转换公司的全新eGaN功率晶体管突破了硅器件之前无可匹敌的成本/速度壁垒

全新eGaN®功率晶体管系列以MOSFET器件的价格实现更优越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2035(60 V)及EPC2036 (100 V)eGaN功率晶体管,专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件。 价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓(GaN)晶体管的普及化的最后一个壁垒,而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。

我们用作比较的功率MOSFET器件具有可比的最高导通电阻额定值((RDS(on))及相同的最高击穿电压额定值((VDS(max))。此外,以下的数据表比较了显示开关速度的数据,包括QOSS、QGD及 QG,而较低的数值代表器件具备更优越的性能。

此外,与等效MOSFET器件相比,EPC2035EPC2036器件的电容小很多。我们也比较了氮化镓及MOSFET器件的面积-- EPC2035/EPC2036的面积大约是等效MOSFET的四十分之一。

功率系统工程师首次可以采用氮化镓元件设计出具备更低的价格、更优越的开关速度及更小的尺寸的最终产品。

开发板

为了简化对这个全新eGaN FET产品系列进行评估,EPC推出开发板,使得工程师可以容易对EPC2035及EPC2036在“电路中”的性能进行评估。开发板的尺寸是2” x 1.5”,采用半桥拓扑并包含eGaN FET、板载栅极驱动器、电源及旁路电容。开发板包含所有重要元件并布局为可以实现最高的开关性能。

开发板型号 VIN VOUT IOUT 所采用的eGaN FET
EPC9049 40 60 4 A EPC2035
EPC9050 60 100 2.5 A EPC2036

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