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内含宜普电源转换公司(EPC)的200 V氮化镓场效应晶体管的开发板可实现高达30 MHz的效率

分类: 新闻稿
内含宜普电源转换公司(EPC)的200 V氮化镓场效应晶体管的开发板可实现高达30 MHz的效率

宜普电源转换公司(EPC)的全新开发板帮助功率系统设计师容易并且快速地 对应用于E类放大器拓扑、电流模式D类放大器拓扑及push-pull 转换器的200 V氮化镓晶体管进行评估,其工作效率可以高达30 MHz。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出高频、基于氮化镓晶体管并采用差分模式的开发板,可以在高达30 MHz下工作。 推出开发板的目的是帮助功率系统设计师利用简易方法对氮化镓晶体管的优越性能进行评估,使得他们的产品可以快速量产。

这些开发板专为诸如无线充电、采用E类放大器的应用而设,而且也可以支持采用低侧开关的应用,例如push-pull转换器、采用电流模式的D类放大器、共源双向开关及诸如LiDAR应用的通用高压短脉宽应用。

这些开发板内含具有200 V额定电压的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。这些放大器被设计为工作在差分模式,也可以再被配置而可以工作在单端模式,而且包含栅极驱动器及逻辑电源稳压器。

这三块开发板有共同的理想规范,其工作负载条件包括配置可以决定最优的负载电压及电阻。以下的表格展示出每一块开发板的各个器件参数。

Demonstration Board
Part Number
Featured eGaN® FET
Part Number
VDS
(max)
RDS(on)
(max)
COSS
(max)
Pulsed ID
(max)
EPC9052 EPC2012C 200 V 100 mOhm 85 pF 22 A
EPC9053 EPC2019 200 V 50 mOhm 150 pF 42 A
EPC9054 EPC2010C 200 V 25 mOhm 320 pF

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