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采用eGaN FET设计的包络跟踪电源支持20 MHz LTE带宽

分类: 技术文章
采用eGaN FET设计的包络跟踪电源支持20 MHz LTE带宽

本篇文章阐述面向使用第四代移动通信技术(4G)LTE带宽的无线通信基站基础设施并采用EPC8004高频氮化镓场效应晶体管设计的包络跟踪电源。基于eGaN® FFET并采用四相位拓扑的软开关降压转换器可以准确地跟踪峰均比(PAPR)为7 dB的20 MHz LTE包络信号,提供60 W以上的平均负载功率,而总效率可高达92%。这种设计的可扩展性能可以支持不同的功率级别,工程师只需选择不同的EPC场效应晶体管设计不同的系统,从而可以满足不同功率级别的要求。

Bodo’s Power Systems
张远哲博士及Michael de Rooij博士
2016年3月
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