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宜普电源转换公司(EPC)的可靠性测试报告记录了超过170亿小时测试器件的可靠性的现场数据,结果表明器件的失效率很低

分类: 新闻稿
宜普电源转换公司(EPC)的可靠性测试报告记录了超过170亿小时测试器件的可靠性的现场数据,结果表明器件的失效率很低

EPC公司的第七阶段可靠性报告表明eGaN®FET非常可靠,为工程师提供可信赖及可 替代采用传统硅基器件的解决方案。

宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告,展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果,以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得的现场评估的结果是一致的,证明在商业化的功率开关应用中,eGaN FET已经准备好可以替代日益老化的等效硅基器件。

宜普公司首席执行官及共同创始人Alex Lidow说:「要能验证全新技术的可靠性是一个重大的挑战。EPC非常重视所有产品的可靠性。本阶段的测试结果及报告表明,由于EPC的氮化镓产品具备必备的可靠性,因此是替代硅基技术的首选半导体器件。」

本报告阐述我们对eGaN FET进行广泛的应力测试的结果。这些测试同样是对硅基功率MOSFET进行的典型测试方法,以证明eGaN FET在各种应力测试条件下,可否符合JEDEC的最新标准。各种测试包括:

  • 高温反向偏置(HTRB)
  • 高温栅极偏置(HTGB)
  • 温度循环(TC)
  • 高温高湿反向偏置[H3TRB)
  • 早期寿命失效率(ELFR)
  • 间歇工作寿命(IOL)

EPC公司持续地对器件进行广泛的测试。结果表明,各种器件的固有技术及所具备的环保优势都是可信赖的。第一至第七阶段的可靠性测试报告可以在我们的网站找到,网址是www.epc-co.com.cn.

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、功率逆变器光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。详情请浏览我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])