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基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

分类: 新闻稿
基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

EPC公司的全新开发板可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器,展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。

宜普电源转换公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068开发板,可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器。这些开发板专为功率系统设计师而设,对氮化镓晶体管的优越性能进行评估方面提供了简易方法,使得设计师的产品可以快速量产。三块开发板都配备了具有零QRR、同步自举整流器的栅极驱动器,从而在高达15 MHz的高频工作条件下可以提高效率。该些开发板在降压转换器及D类放大器配置的最大输出电流为2.7 A。在整个电流范围都可以降低损耗。

EPC9066/67/68分别采用40 V、65 V及100 V 的eGaN FET。这些开发板的尺寸为2”x 1.5”及在半桥式配置布局。各开发板均采用德州仪器公司的LM5113栅极驱动器并配有电源及旁路电容。栅极驱动器的配置备有同步FET自举电路及采用100 V、2800 mΩ的eGaN FET (EPC2038),从而去除由内部自举二极管的反向恢复所引致的驱动器功率损耗。该些开发板备有多个探孔及专为DC输入及输出而设的Kelvin测量点。此外,开发板在大电流工作时可安装散热器。

每块特定开发板的性能从它的工作负载条件包括配置决定最优设计的负载电压及电阻。以下的表格展示出每一块开发板的各个器件的参数。

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FET
VDS (max)
FET
RDS(on) (max)
Bootstrap FET
(EPC2038)
VDS (max) RDS(on) (max)
EPC9066 EPC8004 40 V 110 mΩ 100 V 2800 mΩ
EPC9067 EPC8009 65 V 130 mΩ 100 V