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eGaN技术的可靠性及元件失效的物理原因–确证eGaN FET的现场可靠性

分类: 技术文章
eGaN技术的可靠性及元件失效的物理原因–确证eGaN FET的现场可靠性

宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)及集成电路正在驱动最终用户应用的发展,包括LiDAR、无线充电、DC/DC电源转换、射频发射基站、卫星系统及音频放大器等应用。

从现场可靠性数据可以确证eGaN® FET及集成电路于客户应用的品质。在本章节,我们分享eGaN FET的可靠性及现场数据的概述,包括在过去六年间我们对量产及已经付运的eGaN产品所收集的可靠性现场数据,以及分析超过170亿小时受测器件的现场数据。最后所得的FIT比率(109小时内发生失效的器件)大约是0.24,这是目前最好的现场可靠性测试结果。

Plant Analog
作者:Chris Jakubiec
2016年5月1 日
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