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博客(3):eGaN技术的可靠性及器件失效的物理原因

分类: 技术文章
博客(3):eGaN技术的可靠性及器件失效的物理原因

在本系列的第一及第二章,我们详细讲解了关于EPC的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路(IC)的现场可靠性报告。具备优越的现场可靠性的eGaN器件展示出通过基于应力的认证测试可确保客户的应用也可以非常可靠。本章将阐释EPC器件在认证之前被置于及通过的各种应力测试。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
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