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博客(4):eGaN技术的可靠性及器件失效的物理原因

分类: 技术文章
博客(4):eGaN技术的可靠性及器件失效的物理原因

在本系列的第一、二及第三章中,我们详细讲解了关于EPC增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路(IC)的现场可靠性及它们被认证通过应力测试。在应用中,我们把器件置于预期的工作条件下并施加应力,其测试结果引证了氮化镓器件的现场可靠性。同样重要的是了解 eGaN器件固有的物理特性,它如何在被施加应力后并超出预期工作条件时(例如数据表的参数及安全工作区(SOA))而失效。本章将进一步深入探讨失效的物理原因 -- 采用晶圆级芯片规模封装(WLCSP)的eGaN器件的热机械可靠性。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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