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eGaN技术的可靠性及器件失效的物理原因 - 栅极电压应力测试

分类: 技术文章
eGaN技术的可靠性及器件失效的物理原因 - 栅极电压应力测试

本系列的第四章中,我们探讨了采用晶圆级芯片规模封装的eGaN器件的热机械可靠性。同样重要的是,我们需要了解有栅极偏置时,器件有可能发生的故障模式。本章探讨氮化镓(GaN)场效应晶体管的栅极在偏置电压时失效的物理原因。我们把eGaN FET的栅极控制电压提升至特定的最大极限值和极限值以上,从而分析该器件在失效前的性能。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
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