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与MOSFET相比,基于eGaN FET的开发板展示出eGaN FET具备超快速的转换速度特性,在自动驾驶汽车可实现优越的激光雷达(LiDAR)系统性能

分类: 新闻稿
与MOSFET相比,基于eGaN FET的开发板展示出eGaN FET具备超快速的转换速度特性,在自动驾驶汽车可实现优越的激光雷达(LiDAR)系统性能

EPC9126开发板基于具备超快速的转换速度特性的eGaN® FET,可通过大电流脉冲及低至5 ns的总脉宽来驱动激光二极管,从而提高激光雷达系统的侦测资料的质素,包括侦测资料的准确度、精准度及处理速度。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9126评估板。该板是基于100 V大电流脉冲激光电源设计,可驱动激光二极管。在自动驾驶汽车的激光雷达系统中,侦测目标物件的速度及准确性非常重要。EPC9126评估板展示eGaN FET具备快速转换速度的特性,与等效MOSFET相比,eGaN FET可以高达快十倍的速度提供功率脉冲来驱动激光二极管,从而提高LiDAR系统的整体性能。

EPC9126开发板旨在驱动激光二极管,备有参考接地的氮化镓场效应晶体管(EPC2016C)。该晶体管由德州仪器公司的UCC27611栅极驱动器驱动。EPC2016C的最高电压为100 V,脉冲电流可高达75 A,总脉宽可以低至5 ns。如果使用者需要更大电流,EPC9126可以配备100 V、额定脉冲电流高达150 A的eGaN FET (EPC2001C)。

开发板为装贴激光二极管所需,提供多个可选并具备超低电感的连接,以及可利用电容器放电(装运时配备),或由电源总线直接驱动二极管。开发板并没有包含激光二极管,它需要由使用者提供,从而对不同的应用进行评估。

PCB的设计是把功率环路电感减至最小而同时保持装贴激光二极管的灵活性。板上备有多个无源探头(passive probe),可测量电压及放电电容器的电流,以及备有为50 Ω测量系统而设的输入及传感器的SMA连接器。此外,使用者可以使用可选的高精度窄脉冲发生器。

最后,EPC9126可以在其它采用参考接地的eGaN FET的应用中发挥其效能,例如Class E或其它相同的电路。

价格及供货详情

基于100 V大电流脉冲激光电源设计的EPC9126评估板的单价为181.25美元,可从Digikey公司购买(www.digikey.com.cn).

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、功率逆变器光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。详情请浏览我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])