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GaN 的功率和演变- 第5部分:采用eGaN FET和集成电路构建低成本、高效的12 V - 1 V 负载点转换器

分类: 技术文章
GaN 的功率和演变- 第5部分:采用eGaN FET和集成电路构建低成本、高效的12 V - 1 V 负载点转换器

氮化镓器件对提升主流应用的效率的贡献很大,例如在传统硅基12 V - 1 V负载点 DC/DC转换器。基于eGaN集成电路的12 V转到1 V、12 A负载转换器在5 MHz的频率下,可以实现78%峰值效率及1000 W/in3 功率密度,而成本则低于每瓦0.2美元。

Power Systems Design
2019年1月
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