新闻

客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。

易于使用的设计工具帮助工程师缩短基于氮化镓的功率系统的上市时间

分类: 新闻稿
易于使用的设计工具帮助工程师缩短基于氮化镓的功率系统的上市时间

宜普电源转换公司(EPC)为工程师提供更多的设计工具、模型和性能仿真器,用于基于高性能氮化镓器件的设计。

EPC公司宣布推出GaN Power Bench™设计工具,帮助工程师实现基于氮化镓器件的设计的最高性能。eGaN® FET和IC具有快速开关、高效和小尺寸等优势,可满足当今前沿应用对功率密度的严格要求。GaN Power Bench工具可帮助设计工程师为各种应用选择最合适的氮化镓器件、模拟和优化设计的散热性能,并提供应用实例和相关文档,从而可以快速、轻松地实现最佳设计的理想性能。

GaN Power Bench工具包括:

用于降压转换器的GaN FET选型工具

用于降压转换器的GaN FET选型计算器是一个增强的产品选型工具,针对硬开关降压转换器估计和计算。设计师输入设计参数后,得出以功耗排序的可选器件,从而确定参数权衡。这个选择工具旨在找出最合适的GaN FET以满足特定功率系统设计的要求。这个工具将进一步添加其他拓扑结构。

GaN FET热量计算器

GaN FET热量计算器为PCB上的氮化镓器件的热性能参数提供快速估算值。氮化镓器件既要通过强制对流进行板面冷却,也要通过由散热器和散热片组成的热解决方案进行背面冷却。该热量计算器的估算值考虑了PCB的结构(尺寸、堆叠和通孔密度)、芯片尺寸、功耗、TIM材料和散热器解决方案。

交叉参考搜索

交叉参考搜索提供许多硅基电源管理器件的交叉参考和GaN FET替代产品,便于比较参数差异而不需数据表就可以找出最合适的eGaN FET以提高设计效率。只需输入竞争对手的产品型号,就可以找到推荐的氮化镓替代器件。

器件模型

宜普公司开发了三阶器件模型列表,让工程师能够快速设计和构建电路。每个器件的模型包括PSpice、LTSpice、TSpice、Spectre、Altium、3DStep和热模型。

参考设计

宜普公司为各种应用包括DC/DC转换、电机驱动、激光雷达和D类音频提供不断扩大的参考设计。 每一个参考设计包括所有的相关文档,从而可以快速和容易地复制最佳设计提示,实现理想的性能。

EPC公司全球现场应用工程总监Andrea Gorgerino说:"相比硅器件,eGaN FET和IC让采用任何功率转换拓扑结构的设计工程师在其设计实现显著的性能提升。GaN Power Bench工具易于使用,使设计人员能够轻松地实现氮化镓设计的最高性能。"

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路,其目标应用包括 直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪汽车应用领域功率逆变器三维成像与激光雷达(Lidar)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])