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宽带隙器件建构高效节能绿世界

分类: 技术文章
宽带隙器件建构高效节能绿世界

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)材料为主流的宽带隙(WBG)半导体功率器件,在节能永续意识抬头的今日成为各种功率系统应用的宠儿。2022年Tech Taipei研讨会首度以WBG器件为题,邀请业界重量级业者,从设计、制造、测试等不同面向与现场超过400位听众分享最新技术与应用趋势...

EE Times Taiwan
2022年3月25日
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