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基于GaN FET封装兼容的解决方案可实现性能和成本优化并同时提高功率密度和热性能

分类: 新闻稿
基于GaN FET封装兼容的解决方案可实现性能和成本优化并同时提高功率密度和热性能

宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化镓场效应晶体管EPC2306,为高功率密度应用提供性能更高和更小的解决方案,包括 DC/DC 转换、AC/DC 充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等应用。

宜普电源转换公司是增强型氮化镓(eGaN®)功率FET和IC领域的全球领导者,新推100 V、采用耐热增强型QFN封装的EPC2306,用于高密度计算应用的48 V DC/DC转换、电动汽车和机器人的48 V BLDC 电机驱动器、太阳能优化器和微型逆变器,以及 D 类音频放大器

EPC2306 GaN FET具有超小的导通电阻(仅为 3.8 mOhm)以及非常小的QG、QGD 和 QOSS 参数,可实现低导通和开关损耗。它采用耐热增强型 QFN 封装,从顶部散热,占板面积仅为3 mm x 5 mm,为最高功率密度应用提供超小型化的解决方案。

EPC2306与之前推出的100 V、1.8 mOhm EPC2302 都是封装兼容,从而允许设计工程师在导通电阻与价格之间权衡,在相同PCB布局兼容两种器件的封装尺寸,从而可实现效率或成本优化的解决方案。

宜普电源转换公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说:“EPC2306 结合了100 V氮化镓场效应晶体管的优势和易于组装的QFN封装而没有降低性能。设计人员可以利用我们的封装GaN FET系列,实现用于电动汽车和无人机的更轻且以电池供电的BLDC电机驱动器;用于数据中心、数据通信、人工智能的更高效48 V输入DC/DC转换器,以及用于其他工业及消费应用。”

开发板

EPC90145 开发板采用最大器件电压为 100 V、最大输出电流为45 A的半桥器件EPC2306 GaN FET,旨在简化评估过程以加快产品推出市场时间。这款 2“ x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)开发板专为实现最佳开关性能而设计和包含了所有关键组件,便于评估。

价格和供货

EPC2306以1000片为单位批量购买,每片价格为3.08美元。

EPC90145开发板的单价为200美元。

所有器件和开发板都可从Digi-Key立即发货,网址为https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc

有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具,根据您所需的特定工作条件,我们会推荐合适的替代方案。交叉参考工具可在以下网页找到:交叉參考搜索 (epc-co.com)

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流- 直流转换器直流- 直流转换器激光雷达(Lidar)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星以及低成本卫星等应用。此外,宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn。eGaN 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。关注EPC公司:LinkedIn优酷

联络方式 :

宜普电源转换公司(EPC):Winnie Wong ([email protected])