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EPC新推150V封装兼容的氮化镓器件, 让高功率密度应用实现灵活设计

分类: 新闻稿
EPC新推150V封装兼容的氮化镓器件, 让高功率密度应用实现灵活设计

宜普电源转换公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET,让高功率密度应用实现更高的性能和更小的解决方案,包括DC/DC转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器,以及电机驱动器。

EPC 是增强型氮化镓(eGaN®)功率FET和 IC 领域的全球领导者,新推采用更耐热的QFN封装且可立即发货的150 V EPC2308氮化镓器件,用于电动工具和机器人的电机驱动器、用于工业应用的80 V/100 V高功率密度DC/DC转换器、用于充电器、适配器和电源供电的28V~54V同步整流器、智能手机USB快速充电器,以及太阳能优化器和微型逆变器。

EPC2308 GaN FET具有超小的导通电阻(RDS(on)),典型值仅为4.9 mOhm,而且QG、QGD和QOSS的参数非常小,可实现低导通和开关损耗。它采用耐热增强型QFN封装,占板面积仅为3 mm x 5 mm,为最高功率密度应用提供极小型化的解决方案。该封装提供可湿润侧面以简化组装和检查,而且顶部外露和具超低热阻,从而可以通过散热器实现高效散热和更低的操作温度。

EPC2308与之前发布的100 V、1.8 mOhm EPC2302和100 V、3.8 mOhm EPC2306的封装兼容。

宜普电源转换公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说:“EPC2308结合了150 V GaN FET的优势和易于组装、更耐热的QFN封装。设计人员可以利用封装GaN FET系列,实现用于电动汽车和无人机的更小、更轻并以电池供电的BLDC电机驱动器、更高效的80 V输入DC/DC转换器、更高效的USB充电器和电源供电等应用。”

开发板

EPC90148开发板采用最大器件电压为 150 V、最大输出电流为12 A的半桥器件EPC2308 GaN FET,旨在简化评估过程以加快产品推出市场时间。这款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)开发板专为实现最佳开关性能而设计和包含了所有关键组件,便于评估。

价格和供货

EPC2308以1000片为单位批量购买,每片价格为3.75美元。

EPC90148开发板的单价为200美元。

所有器件和开发板都可从Digi-Key立即发货,网址为https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc

有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具,根据您所需的特定工作条件,我们将推荐合适的替代方案。交叉参考工具可在以下网页找到:交叉參考搜索 (epc-co.com)

宜普电源转换公司(EPC)是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括 直流-直流转换器激光雷达(LiDAR)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星等应用。此外,宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。关注EPC公司优酷。

联络方式

宜普电源转换公司(EPC):Winnie Wong ([email protected])