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氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第12章 – 优化死区时间

分类: 技术文章

杂志 :Power Electronics Technology
作者 :宜普电源转换公司应用副总裁Johan Strydom博士
日期 :2013年1月

我们在之前的文章讨论氮化镓场效应晶体管与硅器件相同之处,并可以利用 量度性能的相同标准来评估它。虽然根据大部分的量度标准结果可以看到,氮化镓场效应晶体管的表现更为优越,但氮化镓场效应晶体管的体二极管前向电压比 MOSFET较高及在死区时间内可以是高功率损耗的元件。体二极管前向导通损耗 并不构成在死区时间内产生的全部损耗,而二极管反向恢复及输出电容损耗也很重要。本章讨论管理死区时间及工程师需要把死区时间损耗减至最低。

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