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氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第十一部分:优化场效应晶体管的导通电阻

分类: 技术文章

作者:宜普公司应用副总裁Johan Strydom博士
杂志:Power Electronics Technology

摘要:
在这一系列的文章中,我们展示了与硅MOSFET相比,氮化镓场效应晶体在硬开关及软开关应用中它在性能方面的改善。我们看到在所讨论的每一个情况下,氮化镓场效应晶体管的性能比MOSFET器件更为优越。第十一部分讨论了晶片尺寸的优化工艺,并使用一个应用范例来展示其结果。

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