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eGaN®FET与硅功率器件比拼第八章:包络跟踪的应用

分类: 技术文章

作者:宜普公司产品应用副总裁Johan Strydom博士
日期:2012年4月30日刊载于Power Electronics Technology 杂志

在射频功率放大器的包络跟踪不是新技术。但随着社会对电源产业日益增长的需求如增长手机的电池寿命、提高基站的能效及增加高成本的射频传输器的输出功率,通过包络跟踪来提高射频功率放大器系统的效率已经成为科研的一个重要议题。

我们在这篇文章展示了在大功率输出的包络跟踪应用中的降压转换器,如何使用eGaN FET实现功率及效率方面可达到的成效。

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