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eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out Part 3: Power over Ethernet

分类: 技术文章

eGaN FET是以太网供电(PoE)应用中可行且高效方案,用以替代标准MOSFET解决方案。这些FET支持更高的工作频率,因而可以减小转换器体积和成本。我们搭建了13W和26W内含eGaN FET以太网供电转换器,并与标准MOSFET设计进行了逐项评估。不管在那种情况下,eGaN FET转换器都具有比MOSFET转换器更高的效率,因而具有降低系统成本的巨大潜力。

By Johan Strydom, Ph.D., Vice President of Applications, EPC
Michael de Rooij, Ph.D., Director of Applications, EPC
March 1, 2011

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