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宜普公司推出升级版的开发板,内含增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及德州仪器公司专为驱动氮化镓器件而设的栅极驱动器

分类: 新闻稿

EPC9005开发板是一种已制作好及易于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料,使工程师可轻松地利用氮化镓场效应晶体管设计产品。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出内含增强型氮化镓场场效应晶体管的EPC9005开发板,展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转而采用氮化镓技术。

EPC9005开发板是一种7 A最大输出电流的半桥电路设计,内含两个EPC2014(40V)氮化镓场效应晶体管,并采用德州仪器公司专为氮化镓器件而优化的栅极驱动器(LM5113)。LM5113采用2英寸x2英寸的BGA封装,可以实现非常紧凑且配备驱动器及两个氮化镓场效应晶体管的电源电路。受益于EPC2014器件的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、无线充电及高频电路。

推出这种开发板的目的是简化评估氮化镓场效应晶体管的过程,因为这种开发板是块2英寸x1.5英寸单板,板上集成了所有关键元件,因此易于连接任何现有转换器。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。随开发板一起提供的还有一份供用户参考和易于使用的速查指南。

EPC9005开发板的单价为99.18美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、微型逆变器、高效照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])