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宜普推出全新内含100 V氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的开发板(EPC9010)

分类: 新闻稿

EPC9010开发板采用专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器,帮助工程师利用100 V的EPC2016氮化镓场效应晶体管快速设计高频开关型电源转换系统。

宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路

EPC9010开发板是一种100 V峰值电压、7 A最大输出电流的半桥电路设计,内含EPC2016增强型氮化镓场效应晶体管,并同时配合板载栅极驱动器。推出EPC9010开发板的目的是简化评估氮化镓场效应晶体管的过程,因为板上集成了所有关键元件,因此易于与目前任何转换器连接。

EPC9010开发板尺寸为2英寸x1.5英寸,不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2016 氮化镓场效应晶体管及德州仪器的栅极驱动器(LM5113),而且包含电源和旁路电容。EPC9010开发板集成了所有关键元器件及布局,以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。

随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf,使用户可以更容易使用开发板。

EPC9010开发板的单价为99.18美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])