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宜普开发板展示200 V氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可使设计功率系统变得容易

分类: 新闻稿

EPC9004开发板内含氮化镓场效应晶体管及采用德州仪器公司专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器

宜普电源转换公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9004开发板, 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器,可帮助设计工程师简单地及以低成本从硅功率晶体管改为采用更高效的氮化镓场效应晶体管。

EPC9004开发板是一种200 V峰值电压、2 A最大输出电流的半桥电路设计,内含EPC2012氮化镓场效应晶体管,并同时配合德州仪器公司的快速栅极驱动器(UCC27611),从而缩短设计高频及高效功率系统的时间及减少设计的复杂性。

推出EPC9004开发板的目的是简化评估高效氮化镓场效应晶体管的过程,因为这种开发板是块2英寸x1.5英寸单板,板上集成了所有关键元件,因此易于与目前任何转换器连接。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南,使用户可以更容易使用开发板。

受益于200 V的EPC2012晶体管的应用包括无线电源充电、磁力共振扫描及具低射频的应用如智能仪表通信设备。

EPC9004开发板的单价为95美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])