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宜普电源转换公司(EPC)推出第二代100V及30mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围

分类: 新闻稿

EPC2007采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装,以增强其高频开关性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2007。EPC2007具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例要求。

EPC2007 FET是一款面积为1.87平方毫米的100VDS及6V器件,当栅极电压为6V 时,RDS(ON)最大值是30mΩ。与前代EPC1007器件相比,新一代EPC2007器件具有明显更高的性能优势 – 其性能在更低栅极电压时得到全面增强,并且具有更好的抗快速开关瞬变性能。

与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2007体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括硬开关和高频电路,例如隔离DC/DC电源、负载点转换器及D类音频放大器。

“我们最新推出的EPC2007产品进一步扩大业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围。与硅基MOSFET相比,电源设计工程师可利用EPC2007提高电源转换系统效率及缩小系统尺寸。” 共同创始人兼首席执行官Alex Lidow表示。

EPC2007在一千批量时其单价为1.31美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

技术支持

EPC2007 eGaN FET 应用手册详细列明其增强了的性能,网址为 http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf

表1:EPC2007指标额定值总结

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、手机、基站、微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联系人:

Joe Engle ([email protected])
Winnie Wong ([email protected])