新闻

客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。

宜普电源转换公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围

分类: 新闻稿

2011年8月23日星期二

宜普电源转换公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围

EPC2014采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装,以增强其高频开关性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2014。EPC2014具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例要求。

EPC2014 FET是一款面积为1.87平方毫米的40VDS及10V器件,当栅极电压为5V 时,RDS(ON)最大值是16mΩ。与前代EPC1014器件相比,新一代EPC2014器件具有明显更高的性能优势,其最大结温额定值提高至150℃,其性能在更低栅极电压时也得到全面增强。

与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2014体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

“除了性能方面增强了,新一代增强型氮化镓场效应晶体管-EPC2014是不含铅、无卤化物及符合RoHS(有害物质限制)条例的要求。”共同创始人兼首席执行官Alex Lidow表示。

EPC2014在一千批量时其单价为1.12美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为 http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

技术支持

EPC2014 eGaN FET 应用手册详细列明其增强了的性能,网址为 http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf

表:EPC2014指标额定值总结

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、手机、基站、微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人:

[email protected]
[email protected]

http://article.ednchina.com/Power/EPC_second_generation_eGaN_FET_newest_member_EPC2014.htm