新闻

客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。

宜普电源转换公司(EPC)推出第二代200V及100mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列领域

分类: 新闻稿

“随着宜普氮化镓场效应晶体管系列产品的不断扩展,氮化镓场效应晶体管的性能标杆得以进一步提升。另外,这种新一代eGaN产品是业界首批不含铅及符合RoHS要求的器件。”共同创始人兼首席执行官Alex Lidow表示。

EPC2012在一千批量时其单价为2.1美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买,网址为 http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

技术支持

EPC2012 eGaN FET 应用手册详细列明其增强了的性能,网址为:http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf

表1:EPC2012指标额定值总结

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、手机、基站、微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联系人:Winnie Wong ([email protected])

http://article.ednchina.com/Power/EPC_the_second_generation_of_200V_power_transistor_EPC2012.htm