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宜普电源转换公司(EPC)发布两款业界领先的无铅且符合RoHS要求的 eGaN™ FET

分类: 新闻稿

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。

EPC2001 FET是一种100 VDS器件,RDS(ON) 最大值是7mΩ,栅极电压为5V。EPC2015是一种40 VDS器件,RDS(ON) 最大值是4mΩ。与同样先进的硅基功率MOSFET相比,这两种eGaN FET都具有更卓越的性能优势。两种器件都具有低导通电阻,体积比相同电阻的硅器件更小,并且具有卓越许多倍的开关性能。

受益于eGaN FET性能提高的应用包括直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器、笔记本电脑和上网本电脑、LED驱动电路和电信基站。

“环境保护是宜普公司发展业务的首要考虑因素,也是我们提供无铅、符合RoHS要求的eGaN FET的推动力。EPC2001和EPC2015是宜普公司推出的第一批无铅且符合RoHS要求的eGaN FET,我们计划在今后4个月内让全部eGaN FET无铅化,并符合RoHS要求。”宜普公司合伙创始人、首席执行官Alex Lidow表示。

详情请参考介绍这些下一代器件性能改进的应用笔记:http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf

一千片批量时,EPC2001的单价是2.80美元, 而EPC2015的单价是2.48美元。两种产品都可通过Digi-Key公司立即供货,网址为:http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

表1——规范额定值摘要

EPC2001 - EPC2015 Summary of Specification Ratings

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商。宜普公司首家推出的硅基增强型氮化镓(eGaN™) FET可作为功率MOSFET的替代品,目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、蜂窝手机、基站、微型逆变器和D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。

连系人:
Joe Engle ([email protected])
黄慧敏 ([email protected])

http://article.ednchina.com/Power/Pu_Yi_Power_Conversion_Corporation_EPC_
announced_two_Pb_free_and_meets_RoHS_requirements_eGaN_FET.htm