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宜普eGaN荣获中国电子设计技术杂志颁发2010年中国创新大奖

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宜普公司领导市场的增强型硅基氮化镓(eGAN™)功率晶体管产品系列获得电子设计技术杂志颁发的2010年度中国创新大奖

宜普电源转换公司的增强型硅基氮化镓(eGAN™)功率晶体管产品系列获得中国电子设计技术杂志针对功率器件和模块设计领域颁发的2010年度中国创新大奖 - 编辑推荐奖项。

“宜普公司的增强型硅基氮化镓(eGAN™)功率晶体管产品系列经过中国设计工程师的网上投票荣获我们颁发的2010年度中国创新大奖 - 编辑推荐奖。这是对还没有于目标市场完全被采用的宜普产品性能表现给予最大肯定,也是对宜普公司在中国工程设计领域可作巨大潜在贡献的肯定,宜普公司的创新在电源技术路线图中具有重要的里程碑意义。”中国电子设计技术杂志发行人张未名表示。

宜普公司合伙创始人兼首席执行官Alex Lidow指出 〝我们非常荣幸eGaN™ FET得到中国电子设计技术杂志各位编缉及广大读者的大力支持,从超过150提名产品中获奖,证明宜普增强型硅基氮化镓晶体管乃电源转换的突破性技术,并支持我们有理由相信硅基MOSFET的性能已经到了极限,而eGaN™技术将引领功率晶体管继续攀登性能高峰〞。

eGaN™ 功率晶体管的优点能使诸多应用受益,涵盖范围甚广, 包括DC-DC电源、POL转换器、D类音频放大器、笔记本电脑和上网本、太阳能微型逆变器、以太网供电(PoE)、LED驱动电路、通讯基站及手机应用等。

若有任何垂询或欲进一步了解宜普科技,请访问www.epc-co.com

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