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氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可提高工业应用的负载点转换器的效率及提升其功率密度

分类: 技术文章

宜普产品应用总监David Reusch博士 / 销售及推广副总裁Stephen L.Colino

在24 V直流系统里采用的传统负载点转换器,设计工程师需要权衡使用一个高成本的隔离型转换器及使用一个低频及低效的降压转换器。与通常在计算机系统里使用的12 V负载点转换器相比,较高压的24 V负载点转换器因为需要考虑开关节点的振铃而需增加场效应晶体管的电压至最少达40 V,以及增加换向损耗及输出电容损耗。宜普公司的氮化镓场效应晶体管由于具备超低QGD性能, 从而可实现低换向损耗,并具备低QOSS性能,以实现较低输出电容损耗。

此外,宜普公司的氮化镓场效应晶体管具备创新的晶片级栅格阵列封装,在高频功率环路及栅极驱动环路,以及最重要的在这些环路的共通路径(称共源电感)都可容许超低电感,从而把换向损耗减至最低。氮化镓器件的低电荷及共源电感可帮助设计工程师通过提高频率使功率密度得以提高而并没有像传统MOSFET器件那样需要折衷效率。

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