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专业高音质并可实现96%效率 – 宜普公司推出内含氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)演示板,实现具备高质音频性能并可以节省空间的设计

分类: 新闻稿

EPC9106 D类音频放大器参考设计使用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管,展示在提升效率、缩小产品尺寸及不需散热器之同时可实现具专业消费类水平的高质音响效果。

宜普电源转换公司推出150 W、8 Ω D类音频放大器的参考设计(EPC9106)。该演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计,配置四个具接地连接的半桥输出级电路,为可升级及可拓展的设计。在这个基于氮化镓场效应晶体管的系统中,我们把所有可影响D类音频系统音质的元素减至最少或完全去除。

EPC9106演示板含EPC2016氮化镓场效应晶体管及德州仪器公司的100 V半桥栅极驱动器(LM5113)。该板展示了使用具备高频开关性能的氮化镓场效应晶体管并配备专有驱动器LM5113,可以实现小尺寸、高音质的理想效果。EPC9106演示板的设计由于高效,因此可以完全不用散热器,因此也可以减低发生EMI/EMC发射的机会。

EPC9106开发板的超小型电源模块(11 mm x 11 mm)包含氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)、驱动器、电感器及输出/输入电容。 尺寸虽小,EPC9106参考设计在150 W、8 Ω可实现96%效率,并在250 W、4 Ω实现92%效率。

客户如果对我们的D类音频放大器中的氮化镓场效应晶体管及以上的演示板有兴趣,我们可以安排FAE工程师与您会面。请联系:

氮化镓场效应晶体管器件的设计资讯及技术支持:

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括伺服器 、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com.cn 。

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eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])[email protected])