EPC Virtual tradeshow

播放以上的视频,收听EPC首席执行官Alex Lidow与您分享的信息。 然后点击下面的基座(pedestal)以看到各个应用研讨会。

要了解具备卓越性能的宜普电源转换公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)和集成电路如何改变计算、通信、机器人技术和交通运输各种应用的供电方式,请点击下面的任何应用图块,以获取更多相关的信息。 要与EPC团队成员进行会议,可发送会议请求

以下是宜普电源转换公司展示各种应用的虚拟展台

观看EPC小组讨论及演讲

小组会议 – 氮化镓功率器件: 过去、现在和未来
讲者:Alex Lidow博士
录制日期:2020年7月7日

小组会议 – 氮化镓功率器件:改变游戏规则的器件
讲者:Alex Lidow博士
录制日期:2020年7月8日

采用单片eGaN IC功率级的低压BLDC电机驱动逆变器
分场研讨会:Stream 1 – Si和GaN 的集成电路
录制日期:2020年7月8日

BLDC电机驱动是非常受欢迎的应用,而且目前与机器人和无人机相关的应用越来越多。 这些应用的特定要求包括轻盈、小尺寸、低转矩脉动和精确控制。

为了满足这些需求,对电动机供电的逆变器,需要在更高的频率下运行而同时需要额外的滤波,以防止因高频共模和感应电流而产生过量的功耗、EMI及机械耗损。

GaN FET和集成电路能够采用硬开关拓扑,在更高的频率下工作,而不会产生高功耗。

基于氮化镓场效应晶体管的超薄型DC/DC降压转换器

在过去的十年中,随着计算机、显示器、智能电话和其他消费电子系统变得越来越纤薄,而且功能越来越强大,人们越需要解决更纤薄的解决方案的挑战,同时又要在有限的空间内,实现更高的功率。

本文探讨为超薄、48 V/20 V电源解决方案,找出采用各种不同非隔离型DC/DC降压转换器拓扑的可行性。 我们选择了两种拓扑,分别是三级和两相降压转换器,从而设计出超薄的48 V/20 V、250 W的转换器。 采用GaN FET可以缩小转换器的尺寸和提高效率。

采用GaN FET的300 W、48 V/12 V、1/16砖式 DC/DC转换器

砖式 DC/DC转换器根据分布式电源开放标准联盟(DOSA)的标准而设计。 这个联盟使得数据中心、电信基站和汽车行业的配电系统实现更好的兼容性和灵活性。

这些砖式转换器通常用于将48 V标称电压转换为12 V标称电压配电总线。 鉴于外形尺寸固定,主要趋势是朝着更高的功率密度方向发展。

本文介绍采用GaN FET的非隔离型、1/16砖式DC/DC转换器的设计,适用于48 V/12 V应用,最大输出功率为300 W和功率密度为730 W / in3

参观展会后,如欲与EPC团队进行虚拟会面,请在线提交会议请求