项目及活动

How2GaN Webinar Series

2021年7月14日星期三 - 2021年8月26日星期四
How2GaN Webinar Series
地点: Online

How2GaN Summer Series Dates: Various
Time: 8:00 AM PDT (5:00 PM CET)

Join the EPC GaN Experts this summer for a series of intensive webinar trainings focused on design techniques to achieve maximum performance in your GaN designs. Each session will last one hour including time for Q&A sessions with our GaN Experts. Webinars will take place bi-weekly throughout July and August and topics will include layout techniques, gate drive, understanding the impact of dead-time, QRR, and COSS, and thermal management.

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Advancements in Thermal Management 会议

2021年8月5日星期四 06:00
Advancements in Thermal Management 会议
地点: Online

小组会议题目:碳化硅和氮化镓器件的热管理 主持人: 电力电子新闻主编(Aspencore)Maurizio Di Paolo Emilio
讲者: EPC 首席执行官 Alex Lidow,UnitedSiC 高级功率应用专家Jonathan Dodge,STMicroelectronics 汽车与分立器件集团副总裁兼研发部门总经理Salvo Coffa

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽频隙 (WBG) 半导体可显着提高各种电力电子应用中的系统效率和电流密度。 SiC 和 GaN 器件使电源设计能够优化散热器和各种外壳中的金属量。虽然 WBG 器件可以实现更高的工作温度和更高的效率,但工程师在系统中采用这些器件时,需要考虑热管理的问题。对于最新一代的 GaN 和 SiC 器件,对于设计中的热管理变得非常重要。

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The 23rd European Conference on Power Electronics and Applications (EPC’21)

2021年9月6日星期一 - 2021年9月11日星期六
The 23rd European Conference on Power Electronics and Applications (EPC’21)
地点: 線上研討會

基于氮化镓器件的三相电机驱动器的死区时间管理 Fabio Mandrilea、Politecnico di Torino Salvatore Musumecia 和 宜普电源转换公司Marco Palma

本文讨论了基于氮化镓场效应晶体管的三相无刷直流电机驱动器的可选死区时间。与硅 MOSFET 相比,氮化镓是宽带隙 (WBG) 技术,具有更高的开关频率。在逆变器应用中,必须在开关信号中插入死区时间,从而避免逆变器发生交叉传导。可选的死区时间是开关时间和逆变器输出波形的折衷。GaN FET可以在数十 纳秒死区时间范围内工作。与硅 MOSFET 相比,本文描述氮化镓技术缩短死区时间,在输出波形失真和速度纹波方面带来明显的优势。此外,相比减少硬件技术,本文评估死区时间补偿技巧,从而展示出氮化镓场效应晶体管可提高软件和硬件资源的效率和节省资源。

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Automotive Lidar 2021

2021年9月21日星期二 - 2021年9月24日星期五
Automotive Lidar 2021
地点: Virtual Event

How Gallium Nitride ICs Simplify and Improve LIDAR System Design Speaker: John Glaser, Ph.D., Director of Applications

LIDAR has been in use for over 60 years in military, aerospace, robotics, and meteorological fields. Today it is experiencing a flurry of interest due to the expectation that it will be one of the key sensors to enable autonomous driving. With more than $2.1 billion raised to date, more than 85 companies are developing automotive grade LIDAR sensors using their unique approaches. This conference is the only event in the world exclusively focused on automotive LIDAR technologies and applications.

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240th Electrochemical Society (ECS) Meeting

2021年10月14日星期四
240th Electrochemical Society (ECS) Meeting
地点: Orlando, FL

Understanding Dynamic RDS(on) in GaN Devices Presenters: Alejandro Pozo, Robert Strittmatter, Shengke Zhang, Alex Lidow

In this presentation, EPC expands on the wide body of experimental and theoretical knowledge of charge trapping phenomena in eGaN devices that cause dynamic on-resistance shifting (dRDS(on)).

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2021功率半导体材料(氮化镓&碳化硅)应用器件国际论坛

2021年10月26日星期二 22:30 - 23:30 (UTC-05:00) Eastern Time (US & Canada)
2021功率半导体材料(氮化镓&碳化硅)应用器件国际论坛
地点: 線上研討會

于无刷直流(BLDC)电机使用氮化镓场效应晶体管和集成电路的优势 讲者:应用工程副总裁Michael de Rooij博士

目前应用于机器人和无人机中的无刷直流(BLDC)电机越来越普及。此类应用特别要求重量轻、体积小、转矩脉动低和高控制精度。为了满足这些要求,为电机供电的逆变器需要在更高的频率工作,而且需要额外的滤波来防止过高的损耗、EMI生成以及与高频共模和感应电流相关的过度机械磨损。GaNFET和IC能够在硬开关拓扑中在更高的频率下工作,而不会产生显着的损耗。我们在这个研讨会介绍了一种新型单片氮化镓半桥功率级集成电路,它可以在高频率下开关,每相可提供高达15ARMS的负载电流。高频不需滤波,从而尺寸可以更小和重量更轻,并且确保机器人技术所需的高精度控制而同时降低了可闻噪声。