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设计技巧线上研讨会

利用简单实用的设计技巧,发挥您的氮化镓设计的最高性能

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参加线上研讨会,在功率转换电路发掘采用氮化镓晶体管的基本技术,从而发挥电路的最高性能

参加线上研讨会,学习更多关于:

  • 充分发挥GaN开关速度的最佳布局技术
  • 基于GaN器件的设计采用简单并且不昂贵的散热技术,从而实现更高的功率
  • 为什么具有快速开关速度的eGaN® FET的电磁干扰比MOSFET器件更低?

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Alex Lidow

Alex Lidow现为宜普电源转换公司(EPC)的首席执行官及共同创办人。在创办宜普电源转换公司之前,Lidow博士是国际整流器公司(NYSE:IRF)的首席执行官。他是HEXFET®功率MOSFET的共同发明者,除了拥有多项与功率半导体技术相关的专利权外,Lidow博士发表了许多与这些技术相关的著作,并且与另外三位作者共同著作《氮化镓晶体管—高效功率转换器件》教科书。该教科书出版了第三版,由John Wiley & Sons出版。Lidow博士获得美国加利福尼亚理工学院应用物理理学学士学位及斯坦福大学应用物理博士学位。

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