Compound Semiconductor Manufacturing Technology Conference

  

Compound Semiconductor Manufacturing Technology Conference
2013年5月13日-16日

SESSION 9a: WBG 功率器件
"氮化镓晶体管推动全新应用的出现"
讲者: 宜普电源转换公司应用总监David Reusch博士
地点: 美国New Orleans LA

摘要
基于增强型氮化镓场效应晶体管如eGaN® FET的功率器件提供硅MOSFET器件不可能实现的更高效及更高开关频率的性能。本研讨会将讨论氮化镓场效应晶体管在全新高频应用中的优势,包括无线电源传送、射频包络跟踪及高频谐振直流-直流中间总线转换等应用。我们也会讨论氮化镓器件的辐射容限性能,从而推动于宇航应用中先进器件的发展,就像在商用功率转换系统中氮化镓器件可实现卓越性能一样。