Darnell’s Energy Summit
2013年9月9-12日
高峰会前的研讨会
"实现高效电源转换的氮化镓晶体管"
演讲者： 宜普公司首席执行官Alex Lidow 及应用工程总监David Reusch
地点： 美国德州Dallas
摘要:
氮化镓技术在功率转换及射频等应用刚开始被广为接受。这种技术发展迅速，而开发新产品的经验也不断在累积。本研讨会将由Alex Lidow阐释氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）的特性及分享关于众多公司加入发展氮化镓先进技术行列的最新消息，包括最新制造技术、成本方面的要求及比较、产品可靠性数据及加快氮化镓技术普及的各个因素。
此外，David Reusch 将继续与与会者探讨如何使用这种高性能器件，包括考虑其所需的驱动器、电路板的版图及热性能等要素，以实现高性能及高频功率转换，并将展示多个应用范例如高频包络跟踪、D类音频放大器、射频放大器、直流-直流转换器及无线电源传送等范例。
研讨会将以展望这种氮化镓技术的发展作结。
关于讲者
Alex Lidow 现为宜普电源转换公司的首席执行官。 在创办宜普公司之前，Lidow博士为国际整流器公司的首席执行官。 Lidow博士是HEXFET功率MOSFET共同发明者之一，并拥有许多功率半导体技术的专利权及发表了许多关于这些技术的著作。 Lidow博士在1975年获得美国加利福尼亚理工学院理学士学位，并于1977年获得斯坦福大学应用物理博士学位。
David Reusch 现为宜普电源转换公司的应用总监。Reusch博士获得弗吉尼亚科技大学电子工程博士学位，他也在该大学取得学士及硕士学位。他于研读博士学位期间为弗吉尼亚科技大学的功率电子中心的Bradley Fellow。 Reusch博士拥有在功率转换器利用氮化镓器件实现低功耗、高功率密度等要求的第一手经验。他为IEEE的会员，并在过去的数年里在APEC及ECCE研讨会发表他的文章。
研讨会大纲
1）简介
2）氮化镓晶体管如何工作？
- 高电子迁移率晶体管的概述 （耗尽型及增强型）
- 器件的截面图
- 主要电学特性及为何这么重要？
3) 目前最先进的器件是什么？
- 功率器件在BV、导通电阻、功率转换效率及集成电路发展方面的性能
- 制造技术
- 我们怎样建构这些器件？
- 它们的成本是多少？
- 与ＭＯＳＦＥＴ及ＩＧＢＴ器件的比较
4) 基本设计 －驱动器、版图、在数ＭＨｚ开关及热性能的考虑因素（４５分钟）
- 设计高频、具备数MHz开关的版图技术
- 热管理的设计及构建热模型的技术
5) 茶歇
6) 设计范例
- 包络跟踪
- 无线电源传送
- 谐振直流－直流转换器
- Ｄ类音频放大器
- 射频放大器
7) 氮化镓技术的未来
8) 提问及解答