GOMAC 技术研讨会 – 宜普公司议题的摘要

  

GOMAC 技术研讨会 – 宜普公司议题的摘要
2013年3月11日至14日

"在直流-直流转换器中采用具备卓越耐辐射性能的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)"
讲者: 宜普电源转换公司Johan Strydom博士及Microsemi公司Tom Gati
地点: 美国拉斯维加斯
 

摘要
增强型硅基氮化镓场效应晶体管展示了其卓越性能并在严峻的环境及高辐射条件下能够可靠地工作。我们将讨论在50W的正激式转换器所采用的氮化镓场效应晶体管与最新耐辐射功率MOSFET的性能比较的最新结果。