氮化镓(GaN)半导体器件:驱动电子行业高效能高速度发展

氮化镓(GaN)FET和氮化镓集成电路(IC)的产品选型

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EPC公司的氮化镓(GaN)晶体管和氮化镓集成电路(IC)具有优于硅的基本优势。基于氮化镓功率晶体管的解决方案无论在速度、温度和电源管理方面都比硅器件更强,从而使得解决方案具备更高的效率、更小的尺寸、更轻、更低的成本和更好的散热性能等优势。

有关EPC的氮化镓技术的更多信息,请下载我们的《技术简介》。

有关使用氮化镓器件的更多信息,请下载《面向功率应用的氮化镓器件的基础知识》和《面向功率应用的氮化镓器件的设计技巧》电子书。

为什么选择EPC公司的氮化镓功率晶体管?

  • 广泛的产品组合
    与硅器件相比,用于电源管理的EPC公司的增强型氮化镓(eGaN®)FET和氮化镓集成电路具备更高的性能和更低的成本等优势。凭借15 V~350 V的氮化镓半导体器件,EPC公司为市场提供最强大、现成的氮化镓产品组合,包括车规级和耐辐射器件。
  • 稳健、高可靠性
    凭借卓越氮化镓功率晶体管的现场高可靠性测试记录和广泛的可靠性测试方法,EPC公司确保其氮化镓功率晶体管达到最高标准,以及其稳健的氮化镓半导体器件被证明为超越了硅器件的性能。
  • 被市场采纳
    EPC公司的GaN FET和氮化镓集成电路广泛用于服务器、48 V电动汽车电源、用于电动出行、机器人和无人机的电机驱动器;用于先进自主性应用的激光雷达和低成本卫星。
  • 供货稳定可靠
    EPC公司拥有世界一流的供应链,包括制造、封装和经销,其优势是成熟、高效和反应迅速。