EPC2035:增强型功率晶体管

VDS, 60 V
RDS(on), 45 mΩ
ID, 1.7 A
脉冲 ID, 24 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2035 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 0.9 mm x 0.9 mm

应用

  • DC/DC 转换器
  • 无线电源传送
  • 光学遥感技术/脉冲式功率应用

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:正在供货
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗?
向GaN技术专家请教