EPC90135:100 V、45 A 氮化镓基半桥开发板

EPC90135:80 V、45 A 并联器件评估板,内含EPC2218,
专为大电流应用而设

EPC90135开发板

带有板载栅极驱动器的 EPC90135 开发板内含额定电压为 100 V 的 EPC2218 eGaN® FET. 该板包含所有关键元件,使它易于与目前大多数现有转换器拓扑连接,从而简化对 EPC2218 进行评估的过程

EPC90135 开发板的尺寸为 2” x 2”,内含八个采用四个半桥配置的EPC2218 GaN FET。EPC90135采用uP1966E栅极驱动器。 该板包含所有关键元件和其布局可实现最佳开关性能。 还有各种探测点,可测量简单波形和计算效率.

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